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Titel |
TI |
[DE] HALBLEITERBAUELEMENT MIT OPTIMIERTEM RANDABSCHLUSS
[EN] SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH OPTIMIZED EDGE TERMINATION
[FR] COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR À PROTECTION DES BORDS OPTIMISÉE |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
BARTHELMESS REINER, DE
;
BASLER THOMAS, DE
;
INFINEON TECHNOLOGIES BIPOLAR GMBH & CO KG, DE
;
KELLNER-WERDEHAUSEN UWE, DE
;
LUTZ JOSEF, DE
;
SCHULZE HANS-JOACHIM, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
BARTHELMESS REINER, DE
;
BASLER THOMAS, DE
;
KELLNER-WERDEHAUSEN UWE, DE
;
LUTZ JOSEF, DE
;
SCHULZE HANS-JOACHIM, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
06.09.2012 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
2012067441 |
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Anmeldeland |
AC |
EP |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
06.06.2013 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
DE
102011087487
20111130
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/861
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 29/06
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 29/0623
H01L 29/0657
H01L 29/0661
H01L 29/36
H01L 29/861
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 29/861
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 29/06
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Halbleiterbauelement, aufweisend: - einen Halbleiterköper (21) mit einer ersten Seite (22), einer zweiten Seite (23) und einem Rand (24), - eine Innenzone (27) mit einer Grunddotierung eines ersten Leitungstyps, - eine erste, zwischen der ersten Seite (22) und der Innenzone (27) angeordnete Halbleiterzone (28, 61) des ersten Leitungstyps mit einer Dotierungskonzentration, die höher ist als die der Innenzone (27), - eine zweite, zwischen der zweiten Seite (23) und der Innenzone (27) angeordnete Halbleiterzone (29) eines zweiten, zum ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps mit einer Dotierungskonzentration, die höher ist als die der Innenzone (27), - wenigstens eine erste Randabschrägung, die sich in einem ersten Winkel (30) zur Erstreckungsebene des Übergangs von der zweiten Halbleiterzone (29) zur Innenzone (27) wenigstens entlang des Rands (24) der zweiten Halbleiterzone (29) und der Innenzone (27) erstreckt, wobei wenigstens eine vergrabene Halbleiterzone (41, 51, 81) des zweiten Leitungstyps mit einer Dotierungskonzentration, die höher ist als die der Innenzone (27), zwischen der ersten Halbleiterzone (28, 61) und der Innenzone (27) vorgesehen ist und sich im Wesentlichen parallel zur ersten Halbleiterzone (28, 61) erstreckt.
[EN] A semiconductor component comprising: - a semiconductor body (21) having a first side (22), a second side (23) and an edge (24), - an inner zone (27) having a basic doping of a first conduction type, - a first semiconductor zone (28, 61), which is arranged between the first side (22) and the inner zone (27) and is of the first conduction type and having a doping concentration higher than that of the inner zone (27), - a second semiconductor zone (29), which is arranged between the second side (23) and the inner zone (27) and is of a second conduction type, which is complementary to the first conduction type, having a doping concentration of higher than that of the inner zone (27), - at least one first edge chamfer extending at a first angle (30) with respect to the extension plane of the transition from the second semiconductor zone (29) to the inner zone (27) at least along the edge (24) of the second semiconductor zone (29) and the inner zone (27), wherein at least one buried semiconductor zone (41, 51, 81) of the second conduction type having a doping concentration higher than that of the inner zone (27) is provided between the first semiconductor zone (28, 61) and the inner zone (27) and extends substantially parallel to the first semiconductor zone (28, 61).
[FR] L'invention concerne un composant à semi-conducteur comportant : - un corps semi-conducteur (21) avec une première face (22), une deuxième face (23) et un bord (24); - une zone interne (27) avec un dopage de base ayant un premier type de conduction; - une première zone semi-conductrice (28, 61), disposée entre la première face (22) et la zone interne (27), du premier type de conduction et présentant une concentration en dopant supérieure à celle de la zone interne (27); - une deuxième zone semi-conductrice (29), disposée entre la deuxième face (23) et la zone interne (27) et ayant un deuxième type de conduction complémentaire du premier type de conduction, présentant une concentration en dopant supérieure à celle de la zone interne (27); - au moins un premier chanfrein de bord qui s'étend suivant un premier angle (30) par rapport au plan d'extension de la transition de la deuxième zone semi-conductrice (29) à la zone interne (27), au moins le long du bord (24) de la deuxième zone semi-conductrice (29) et de la zone interne (27). Au moins une zone semi-conductrice enterrée (41, 51, 81) du deuxième type de conduction ayant une concentration en dopant supérieure à celle de la zone interne (27) est prévue entre la première zone semi-conductrice (28, 61) et la zone interne (27) et s'étend sensiblement parallèlement à la première zone semi-conductrice (28, 61). |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000010361136A1
JP0000S6066477A
US000004220963A
US000006037632A
US020090267200A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
HEINZE B ET AL: "Ruggedness analysis of 3.3kV high voltage diodes considering various buffer structures and edge terminations", MICROELECTRONICS JOURNAL, MACKINTOSH PUBLICATIONS LTD. LUTON, GB, vol. 39, no. 6, 1 June 2008 (2008-06-01), pages 868 - 877, XP022688211, ISSN: 0026-2692, [retrieved on 20080128], DOI: 10.1016/J.MEJO.2007.11.023 7
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 29/06
H01L 29/861
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