Bibliografische Daten

Dokument WO002009141417A1 (Seiten: 33)

Bibliografische Daten Dokument WO002009141417A1 (Seiten: 33)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON ALKALIMETALL-DOTIERTEM NANOSKALIGEM ZINKOXID MIT VARIABLEM DOTIERUNGSGEHALT
[EN] METHOD FOR THE MANUFACTURE OF ALKALI METAL DOPED NANO-SCALE ZINC OXIDE HAVING A VARIABLE DOPING CONTENT
[FR] PROCÉDÉ DE FABRICATION D'OXYDE DE ZINC NANOSCALAIRE DOPÉ PAR UN MÉTAL ALCALIN, AYANT UNE TENEUR VARIABLE EN DOPANT
71/73 Anmelder/Inhaber PA AKSU YILMAZ, DE ; DRIESS MATTHIAS, DE ; GRILLO ZINKOXID GMBH, DE ; ORLOV ANDREY, DE ; POLARZ SEBASTIAN, DE
72 Erfinder IN AKSU YILMAZ, DE ; DRIESS MATTHIAS, DE ; ORLOV ANDREY, DE ; POLARZ SEBASTIAN, DE
22/96 Anmeldedatum AD 22.05.2009
21 Anmeldenummer AN 2009056209
Anmeldeland AC EP
Veröffentlichungsdatum PUB 26.11.2009
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD
EP
08156675
20080521
51 IPC-Hauptklasse ICM C01G 9/02 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS C01G 9/03 (2006.01)
C07F 3/06 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC B01J 23/06
B82Y 30/00
C01G 9/02
C01G 9/03
C01P 2002/52
C01P 2002/54
C01P 2004/64
C07F 3/06
C09K 11/54
H01L 21/02554
H01L 21/02579
H01L 21/02601
H01L 21/02628
H01L 31/1828
MCD-Hauptklasse MCM C01G 9/02 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS C01G 9/03 (2006.01)
C07F 3/06 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Verfahren zur Herstellung von alkalimetall-dotiertem Zinkoxid, dadurch gekennzeichnet, dass a) eine zink-alkalimetall-organische Verbindung in einem organischen Lösungsmittel, insbesondere in einem trockenen organischen Lösungsmittel gelöst wird, b) eine weitere metallorganische Zinkverbindung hinzugefügt wird, c) das organische Lösungsmittel entfernt wird, d) der Rückstand auf 200°C bis 1000°C erhitzt wird, und e) das entstandene Zinkoxid abgekühlt wird.
[EN] A method for manufacturing alkali metal-doped zinc oxide, characterized in that a) a zinc alkali metal-organic compound is dissolved in an organic solvent, in particular in an anhydrous organic solvent, b) another metal-organic zinc compound is added, c) the organic solvent is removed, d) the residue is heated to 200°C to 1000°C and e) the resultant zinc oxide is cooled.
[FR] L'invention porte sur un procédé de fabrication d'oxyde de zinc dopé par un métal alcalin, caractérisé en ce que a) on dissout un composé organique du zinc-métal alcalin dans un solvant organique, en particulier dans un solvant organique sec, b) on ajoute un autre composé organométallique de zinc, c) on élimine le solvant organique, d) on porte le résidu à une température de 200 à 1 000°C, et e) on refroidit l'oxyde de zinc ainsi obtenu.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT GB000001181580A
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP DATABASE CA [online] CHEMICAL ABSTRACTS SERVICE, COLUMBUS, OHIO, US; ISLAM, EHTESANUL ET AL: "Li-concentration dependence of micro-Raman spectra in ferroelectric-semiconductor Zn1-xLixO", XP002500117, retrieved from STN Database accession no. 137:224982 7;
DATABASE CA [online] CHEMICAL ABSTRACTS SERVICE, COLUMBUS, OHIO, US; ISLAM, EHTESANUL ET AL: "Micro-Raman scattering study of ferroelectric-semiconductor Zn1-xLixO", XP002500118, retrieved from STN Database accession no. 136:174678 7;
FERROELECTRICS , 261(1-4), 251-256 CODEN: FEROA8; ISSN: 0015-0193, 2001 7;
JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN , 71(6), 1594-1597 CODEN: JUPSAU; ISSN: 0031-9015, 2002 7;
KLAUS MERZ, STEFAN BLOCK, ROBERT SCHOENEN AND MATTHIAS DRIESS: "Facile synthesis and structural variation of novel heterobimetallic alkali metal-zinc-alkoxide and -siloxide clusters", DALTON TRANS., vol. 2003, 2003, pages 3365 - 3369, XP002497839 7;
V. ISCHENKO, S. POLARZ, D. GROTE, V. STAVARACHE, K. FINK, M. DRIESS, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, vol. 15, no. 12, 2005, pages 1945 - 1954, XP002500114 7;
X.S. WANG, Z.C. WU, J.F. WEBB AND Z.G. LIU: "Ferroelectric and dielectric properties of Li-doped ZnO thin films prepared by pulsed laser deposition", APPLIED PHYSICS A: MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, vol. 77, no. 3-4, 2003, pages 561 - 565, XP002500116 7;
X.W. ZHU, Y.Q. LIA, Y. LUA, L.C. LIUA AND Y.B. XIAA, MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS, vol. 102, no. 1, 2007, pages 75 - 79, XP002500115 7
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP C01G 9/02
C01G 9/03
C07F 3/06