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Titel |
TI |
[DE] VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR ERZEUGUNG VON LASERSTRAHLUNG AUF BASIS VON HALBLEITERN
[EN] METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING LASER RADIATION BASED ON SEMICONDUCTORS
[FR] PROCEDE ET DISPOSITIF DE PRODUCTION DE RAYONNEMENT LASER SUR LA BASE DE SEMI-CONDUCTEURS |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
MENZEL RALF, DE
;
RAAB VOLKER, DE
;
UNIV POTSDAM, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
MENZEL RALF, DE
;
RAAB VOLKER, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
06.11.2002 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
0212400 |
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Anmeldeland |
AC |
EP |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
03.07.2003 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
DE
10161076
20011212
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01S 5/14
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01S 3/0818
H01S 5/14
H01S 5/141
H01S 5/142
H01S 5/2036
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01S 5/022
(2006.01)
H01S 5/14
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung zur Erzeugung von Laserstrahlung auf Basis von Halbleitern anzugeben, mit welcher Laserlicht von hoher Strahlqualität erzeugt werden kann, wobei die Vorrichtung kostengünstiger herstellbar und gegen Dejustagen unanfälliger als die bekannten Vorrichtungen sein soll. Es soll weiterhin ein Verfahren zur Erzeugung von Laserstrahlung auf Basis von Halbleitern angegeben werden, welches die genannten Nachteile der bekannten Verfahren nach dem Stand der Technik eliminiert.Erfindungsgemäss weist eine Vorrichtung zur Erzeugung von Laserstrahlung auf Basis von Halbleitern ein reflektierendes Element auf, wobei dieses reflektierende Element keinen Einfluss auf die Divergenz des aus dem Halbleiter austretenden Lichts hat und in einem solchen Abstand vom Halbleiter angeordnet ist, dass die Anordnung einen externen, instabilen Resonator ausbildet und darüber hinaus das aus dem Halbleiter austretende divergente Licht teilweise in den Halbleiter zurückreflektiert und in diesen eingekoppelt wird.
[EN] The invention relates to a device for generating laser radiation based on semiconductors, with which laser light of a high beam quality can be produced, whereby this device can be produced more economically and is less susceptible to misalignments than prior art devices. The invention also relates to a method for producing laser radiation based on semiconductors, which eliminates the cited drawbacks of prior art methods. According to the invention, a device for producing laser radiation based on semiconductors has a reflective element, whereby this reflective element has no influence on the divergence of the light exiting the semiconductor and is placed at a distance from the semiconductor at which the arrangement forms an external unstable resonator. In addition, the divergent light exiting the semiconductor is partially reflected back into the semiconductor and is injected therein.
[FR] L'invention a pour objet la mise au point d'un dispositif de production de rayonnement laser sur la base de semi-conducteurs, grâce auquel la lumière laser peut être produite avec une qualité de rayonnement élevée, le dispositif pouvant être réalisé à moindre coût et étant moins sensible aux problèmes de mauvais alignement que les dispositifs de l'état de la technique. L'invention concerne également un procédé de production de rayonnement laser sur la base de semi-conducteurs qui supprime les inconvénients mentionnés relatifs aux procédés de l'état de la techniques. Selon l'invention, un dispositif de production de rayonnement laser sur la base de semi-conducteurs est un élément réfléchissant, qui n'a pas d'influence sur la divergence de la lumière sortant du semi-conducteur et qui est disposé à une distance du semi-conducteur telle que la disposition forme un résonateur instable externe, et que la lumière divergente sortant du semi-conducteur est partiellement réfléchie dans le semi-conducteur et injectée dans celui-ci. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
US000004785462A
US000005696779A
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 007, no. 166 (E - 188) 21 July 1983 (1983-07-21) 7;
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 010, no. 054 (E - 385) 4 March 1986 (1986-03-04) 7;
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1995, no. 06 31 July 1995 (1995-07-31) 7;
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 2002, no. 02 2 April 2002 (2002-04-02) 7
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01S 5/14
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