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Title |
TI |
[DE] VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
[EN] METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
[FR] PROCEDE DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR |
| 71/73 |
Applicant/owner |
PA |
DEBOY GERALD, DE
;
FRIZA WOLFGANG, AT
;
HAEBERLEN OLIVER, AT
;
RUEB MICHAEL, AT
;
SIEMENS AG, DE
;
STRACK HELMUT, DE
|
| 72 |
Inventor |
IN |
DEBOY GERALD, DE
;
FRIZA WOLFGANG, AT
;
HAEBERLEN OLIVER, AT
;
RUEB MICHAEL, AT
;
STRACK HELMUT, DE
|
| 22/96 |
Application date |
AD |
Sep 24, 1999 |
| 21 |
Application number |
AN |
9903081 |
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Country of application |
AC |
DE |
|
Publication date |
PUB |
Dec 28, 2000 |
33
31
32 |
Priority data |
PRC
PRN
PRD |
DE
19843959
19980924
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| 51 |
IPC main class |
ICM |
H01L 29/78
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| 51 |
IPC secondary class |
ICS |
H01L 21/336
H01L 29/10
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
H01L 21/26586
H01L 29/0619
H01L 29/0623
H01L 29/0634
H01L 29/0649
H01L 29/0653
H01L 29/1095
H01L 29/41766
H01L 29/78
H01L 29/7802
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MCD main class |
MCM |
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MCD secondary class |
MCS |
H01L 21/336
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
H01L 29/10
(2006.01)
H01L 29/78
(2006.01)
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MCD additional class |
MCA |
H01L 21/265
(2006.01)
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| 57 |
Abstract |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit in einem Halbleiterkörper alternierend angeordneten Halbleitergebieten (4, 5) abwechselnd unterschiedlichen Leitungstyps, die sich im Halbleiterkörper (1) von wenigstens einer ersten Zone (6) bis in die Nähe zu einer zweiten Zone (1) erstrecken und durch variable Dotierung aus Trenchen (11, 14) und deren Auffüllung ein elektrisches Feld erzeugen, das einen von beiden Zonen (6, 1) aus ansteigenden Verlauf hat.
[EN] The invention relates to a method for producing a semiconductor component comprising semiconductor areas (4, 5) of different conductivity types which are alternately positioned in a semiconductor body and in said semiconductor body (1) extend at least from one first zone (6) to near a second zone (1) and by way of variable dopage from trenches (11, 14) and their fillings generate an electric field which increases from both said zones (6, 1).
[FR] L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur comprenant des régions semi-conductrices (4, 5) disposées de façon alternée dans un corps semi-conducteur, en alternant le type de conduction, lesdites régions s'étendant dans le corps semi-conducteur (1), d'au moins une première zone (6) jusqu'au voisinage d'une deuxième zone (1) et produisant, par dopage variable à partir de tranchées (11, 14) et leur remplissage, un champ électrique présentant une allure croissante à partir de l'une des deux zones (6, 1). |
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Cited documents identified in the search |
CT |
DE000019736981A1
US000005216275A
US000005438215A
WO001997029518A1
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| 56 |
Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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| 56 |
Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
CHEN XINGBI: "Theory of a novel voltage sustaining (CB) layer for power devices", CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, JULY 1998, TECHNOLOGY EXCHANGE FOR CHINESE INST. ELECTRON, HONG KONG, vol. 7, no. 3, pages 211 - 216, XP000900759, ISSN: 1022-4653 7
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| 56 |
Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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Determine documents
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
H01L 29/06 E
H01L 29/78
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