Bibliografische Daten

Dokument US020120018846A1 (Seiten: 45)

Bibliografische Daten Dokument US020120018846A1 (Seiten: 45)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [EN] Surge-Current-Resistant Semiconductor Diode With Soft Recovery Behavior and Methods for Producing a Semiconductor Diode
71/73 Anmelder/Inhaber PA BABURSKE ROMAN, DE ; INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA, AT ; LUTZ JOSEF, DE ; SCHULZE HANS-JOACHIM, DE ; SIEMIENIEC RALF, AT
72 Erfinder IN BABURSKE ROMAN, DE ; LUTZ JOSEF, DE ; SCHULZE HANS-JOACHIM, DE ; SIEMIENIEC RALF, AT
22/96 Anmeldedatum AD 30.09.2010
21 Anmeldenummer AN 89423910
Anmeldeland AC US
Veröffentlichungsdatum PUB 26.01.2012
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD
DE
102009047808
20090930
51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 29/73 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 21/265 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 29/0623
H01L 29/66136
H01L 29/73
H01L 29/861
H01L 29/8611
H01L 2924/0002
MCD-Hauptklasse MCM H01L 29/73 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/265 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [EN] A bipolar semiconductor component, in particular a diode, comprising an anode structure which controls its emitter efficiency in a manner dependent on the current density in such a way that the emitter efficiency is low at small current densities and sufficiently high at large current densities, and an optional cathode structure, which can inject additional holes during commutation, and production methods therefor.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT US020030038335A1
US020050212075A1
US020070126024A1
US020080001159A1
US020100127304A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/331
H01L 23/62
H01L 29/739
H01L 29/73