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Bibliografische Daten

Dokument EP000001915777B1 (Seiten: 12)

Bibliografische Daten Dokument EP000001915777B1 (Seiten: 12)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Halbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung
[EN] Semiconductor substrate and method for the production thereof
[FR] Substrat semi-conducteur et procédé de production correspondant
71/73 Anmelder/Inhaber PA FRAUNHOFER GES FORSCHUNG, DE ; KONINKL PHILIPS ELECTRONICS NV, NL
72 Erfinder IN BERGMANN ANDREAS, DE ; DORSCHEID RALF, DE ; DRABE CHRISTIAN, DE ; STEADMAN ROGER, DE ; VOGTMEIER GEREON, DE ; WOLTER ALEXANDER, DE
22/96 Anmeldedatum AD 10.08.2006
21 Anmeldenummer AN 06775875
Anmeldeland AC EP
Veröffentlichungsdatum PUB 20.10.2010
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD
DE
102005039068
11.08.2005
33
31
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PRC
PRN
PRD
DE
2006001450
10.08.2006
51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 21/768 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 23/48 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 21/76898
H01L 2223/6622
H01L 23/481
H01L 2924/0002
H10F 39/811
H10F 77/933
MCD-Hauptklasse MCM H01L 21/768 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 23/48 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 29/18
H01L 33/00