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Titel |
TI |
[DE] VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR ERZEUGUNG VON LASERSTRAHLUNG AUF BASIS VON HALBLEITERN
[EN] METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING LASER RADIATION BASED ON SEMICONDUCTORS
[FR] PROCEDE ET DISPOSITIF DE PRODUCTION DE RAYONNEMENT LASER SUR LA BASE DE SEMI-CONDUCTEURS |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
UNIV POTSDAM, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
MENZEL RALF, DE
;
RAAB VOLKER, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
06.11.2002 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
02792737 |
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Anmeldeland |
AC |
EP |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
08.09.2004 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
DE
10161076
12.12.2001
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33
31
32 |
PRC
PRN
PRD |
EP
0212400
06.11.2002
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01S 5/14
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01S 3/0818
H01S 5/14
H01S 5/141
H01S 5/142
H01S 5/2036
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01S 5/022
(2006.01)
H01S 5/14
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[EN] In a device and method for generating laser radiation based on semiconductors, with which laser light of a high beam quality can be produced, the device producing laser radiation has a reflective element, which has no influence on the divergence of the light exiting the semiconductor and is placed at a distance from the semiconductor at which the arrangement forms an external unstable resonator, the divergent light exiting the semiconductor. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
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