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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zur Bildung einer Isolierschicht und Verfahren zur Herstellung eines Grabenkondensators
[EN] Method of forming an isolation layer and method of manufacturing a trench capacitor
[FR] Procédé de formation d'une couche isolante et méthode de fabrication d'un condensateur enterré |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
DRABE CHRISTIAN, DE
;
HAENSEL JANA, DE
;
KRASEMANN ANKE, DE
;
LORENZ BARBARA, DE
;
MORGENSTERN THOMAS DR, DE
;
SCHNEIDER TORSTEN, DE
;
SPULER BRUNO, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
23.07.2001 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
01117854 |
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Anmeldeland |
AC |
EP |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
29.09.2004 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 21/311
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/334
H01L 21/8242
H01L 27/108
H01L 29/94
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 21/31116
H10B 12/038
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/311
(2006.01)
H10B 12/00
(2023.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
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