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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055, Regensburg, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Chan, Ai Cheng, Penang, Balik Pulau, MY
;
Lim, Choo Kean, Penang, Gelugor, MY
;
Lim, Choon Kim, Penang, Bayan Baru, MY
;
Or, Choon Keat, Penang, Ayer Itam, MY
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
06.07.2017 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
112017000857 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
07.03.2019 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
EP
2017066950
20170706
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 33/54
(2010.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/52
(2006.01)
H01L 25/075
(2006.01)
H01L 33/50
(2010.01)
H01L 33/62
(2010.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 21/6836
H01L 2221/68368
H01L 2224/96
H10H 20/036
H10H 20/0362
H10H 20/8506
H10H 20/851
H10H 20/8514
H10H 20/8516
H10H 20/852
H10H 20/853
H10H 20/856
H10H 20/857
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 33/54
(2010.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/52
(2006.01)
H01L 25/075
(2006.01)
H01L 33/50
(2010.01)
H01L 33/62
(2010.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) einen Schritt A), in dem eine Zwischenfolie (1) bereitgestellt wird. In einem Schritt B) werden mehrere optoelektronische Halbleiterchips (2) auf vorbestimmte Orte der Zwischenfolie (1) aufgebracht. In einem Schritt C) wird eine Kavitätsfolie (3) mit mehreren voneinander getrennten Öffnungen (30) bereitgestellt. In einem Schritt D) wird die Kavitätsfolie (3) derart auf der Zwischenfolie (1) aufgebracht, dass jedem optoelektronischen Halbleiterchip (2) jeweils eine Öffnung (30) zugeordnet wird. Die Kavitätsfolie (3) ist dicker als die optoelektronischen Halbleiterchips (2), so dass die Kavitätsfolie (3) die optoelektronischen Halbleiterchips (2) in einer Richtung weg von der Zwischenfolie (1) überragt. In einem Schritt E) wird in jede der Öffnungen (30) ein Vergussmaterial (4) eingefüllt, so dass die optoelektronischen Halbleiterchips (2) mit dem Vergussmaterial (4) vergossen werden. In einem Schritt F) wird die Zwischenfolie (1) entfernt. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE102012109905A1
JP002017098498A
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/48 TB
H01L 25/075
H01L 33/50
H01L 33/52
H01L 33/54
H01L 33/60
H01L 33/62
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