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Titel |
TI |
[DE] Gleichspannungswandler, insbesondere Eintaktflusswandler, Verfahren zum Betrieb eines Gleichspannungswandlers, und dessen Verwendung |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Hochschule Reutlingen, Körperschaft des öffentlichen Rechts, 72762, Reutlingen, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Ulrich, Burkhard, 72401, Haigerloch, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
14.02.2024 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102024104082 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
14.08.2025 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H02M 3/337
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H02M 1/38
H02M 3/3353
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H02M 3/337
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Gleichspannungswandler, aufweisend einen ersten und zweiten Eingang; einen Transformator, aufweisend eine primärseitige Hauptinduktivität zwischen dem ersten und zweiten Eingang und eine sekundärseitige Hauptinduktivität; einen ersten MOSFET zwischen dem ersten Eingang und einem ersten Anschluss der primärseitigen Hauptinduktivität; einen zweiten MOSFET zwischen dem zweiten Eingang und dem zweiten Anschluss der primärseitigen Hauptinduktivität; einen dritten MOSFET zwischen dem ersten Eingang und dem zweiten Anschluss der primärseitigen Hauptinduktivität oder zwischen dem zweiten Eingang und dem ersten Anschluss der primärseitigen Hauptinduktivität; eine erste Diode zwischen dem zweiten Eingang und dem ersten Anschluss der primärseitigen Hauptinduktivität oder zwischen dem ersten Eingang und dem zweiten Anschluss der primärseitigen Hauptinduktivität; einen Kondensator parallel zu dem ersten MOSFET, dem zweiten MOSFET oder der ersten Diode; und eine Steuer- oder Kontrolleinheit die ausgelegt ist, den ersten und zweiten MOSFET im Wesentlichen gleichzeitig ein- und auszuschalten, den dritten MOSFET abwechselnd zu dem ersten und zweiten MOSFET ein- und auszuschalten, und den dritten MOSFET in Bezug auf ein Ausschalten des ersten und zweiten MOSFETs mit einer ersten Verzögerung einzuschalten und den ersten und zweiten MOSFET in Bezug auf ein Ausschalten des dritten MOSFETs mit einer zweiten Verzögerung einzuschalten. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000069830284T2
DE102010016439A1
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
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