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Document DE102019115583A1 (Pages: 43)

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INID Criterion Field Contents
54 Title TI [DE] Siliziumkarbid-Bauelement und Verfahren zum Bilden eines Siliziumkarbid-Bauelements
71/73 Applicant/owner PA Infineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
72 Inventor IN Basler, Thomas, 85570, Ottenhofen, DE ; Fuergut, Edward, 86453, Dasing, DE ; Gruber, Martin, 92421, Schwandorf, DE ; Hilsenbeck, Jochen, Dr., Villach, AT ; Joshi, Ravi Keshav, Klagenfurt, AT ; Peters, Dethard, 91315, Höchstadt, DE ; Rupp, Roland, 91207, Lauf, DE ; Scholz, Wolfgang, 82140, Olching, DE ; Siemieniec, Ralf, Villach, AT
22/96 Application date AD Jun 7, 2019
21 Application number AN 102019115583
Country of application AC DE
Publication date PUB Jan 23, 2020
33
31
32
Priority data PRC
PRN
PRD
DE
102018116102
Jul 3, 2018
33
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PRC
PRN
PRD
DE
102018116673
Jul 10, 2018
51 IPC main class ICM H01L 29/43 (2006.01)
51 IPC secondary class ICS H01L 21/28 (2006.01)
H01L 23/485 (2006.01)
H01L 29/161 (2006.01)
H01L 29/739 (2006.01)
H01L 29/78 (2006.01)
IPC additional class ICA
IPC index class ICI
Cooperative patent classification CPC H01L 21/0485
H01L 2224/02166
H01L 2224/0603
H01L 2224/451
H01L 2224/45124
H01L 2224/45139
H01L 2224/45144
H01L 2224/45147
H01L 2224/48247
H01L 2224/48465
H01L 2224/4847
H01L 2224/49111
H01L 24/03
H01L 24/05
H01L 24/06
H01L 24/45
H01L 24/48
H01L 24/49
H01L 29/0623
H01L 29/0878
H01L 29/1095
H01L 29/1608
H01L 29/401
H01L 29/41741
H01L 29/41766
H01L 29/43
H01L 29/66068
H01L 29/66348
H01L 29/7396
H01L 29/7397
H01L 29/7805
H01L 29/7813
H01L 2924/10272
MCD main class MCM H01L 29/43 (2006.01)
MCD secondary class MCS H01L 21/28 (2006.01)
H01L 23/485 (2006.01)
H01L 29/161 (2006.01)
H01L 29/739 (2006.01)
H01L 29/78 (2006.01)
MCD additional class MCA
57 Abstract AB [DE] Ein Siliziumkarbid-Bauelement umfasst ein Siliziumkarbid-Substrat, eine Kontaktschicht, die Nickel, Silizium und Aluminium umfasst, eine Barriereschichtstruktur, die Titan und Wolfram umfasst, eine Metallisierungsschicht, die Kupfer umfasst. Die Kontaktschicht befindet sich auf dem Siliziumkarbid-Substrat. Die Kontaktschicht befindet sich zwischen dem Siliziumkarbid-Substrat und zumindest einem Teil der Barriereschichtstruktur. Die Barriereschichtstruktur befindet sich zwischen dem Siliziumkarbid-Substrat und der Metallisierungsschicht.
56 Cited documents identified in the search CT DE102008019599A1
DE102008035537A1
US000005250472A
US020020000665A1
US020080286915A1
US020150228723A1
US020190057873A1
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Search file IPC ICP H01L 21/28
H01L 23/485
H01L 29/161
H01L 29/43
H01L 29/739
H01L 29/78