| 54 |
Title |
TI |
[DE] Metalllagenfreies Thermopile mit optimiertem Layout |
| 71/73 |
Applicant/owner |
PA |
Elmos Semiconductor SE, 44227, Dortmund, DE
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| 72 |
Inventor |
IN |
Cichoszewski, Jakub, 47057, Duisburg, DE
;
Kühnhold, Ralf, 44229, Dortmund, DE
;
Meyer, Frank, 44139, Dortmund, DE
;
ten Have, Arnd, 46119, Oberhausen, DE
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| 22/96 |
Application date |
AD |
Jul 23, 2019 |
| 21 |
Application number |
AN |
102019009338 |
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Country of application |
AC |
DE |
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Publication date |
PUB |
Feb 27, 2025 |
33
31
32 |
Priority data |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC main class |
ICM |
H10N 10/851
(2023.01)
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| 51 |
IPC secondary class |
ICS |
H10D 84/85
(2025.01)
H10N 10/81
(2023.01)
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
H10D 84/80
H10N 10/81
H10N 10/8556
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MCD main class |
MCM |
H10N 10/851
(2023.01)
|
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MCD secondary class |
MCS |
H10D 84/85
(2025.01)
H10N 10/81
(2023.01)
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MCD additional class |
MCA |
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| 57 |
Abstract |
AB |
[DE] Thermopile,mit mindestens einem ersten, insbesondere metalllagenfreien, Thermopaar,wobei das Thermopaar ein erstes Thermoelement (TE1) umfasst undwobei das Thermopaar ein zweites Thermoelement (TE2) umfasst undwobei das erste Thermoelement (TE1) und das zweite Thermoelement (TE2) bis auf eine möglicheDotierung ein gleiches Material umfassen und/oder aus demselben Material gefertigt sind undwobei das erste Thermoelement (TE1) und das zweite Thermoelement (TE2) durch eine elektrischleitfähige Verbindung elektrisch miteinander verbunden sind undwobei die elektrisch leitfähige Verbindung- eine elektrisch leitfähige, insbesondere silizidierte Verbindung des Materials des ersten Thermoelements (TE1) versetzt mit einer weiteren Atomsorte und- eine elektrisch leitfähige, insbesondere silizidierte Verbindung des Materials des zweiten Thermoelements (TE2) versetzt mit einer weiteren Atomsorte umfasst undwobei es sich bei dem Material des ersten Thermoelements (TE1) und des zweiten Thermoelements (TE2) um polykristallines Silizium handelt undwobei die elektrisch leitfähige Verbindung aus der elektrisch leitfähigen Verbindung des Materials des ersten Thermoelements (TE1) und des zweiten Thermoelements (TE2) mit weiteren Atomsorten ein elektrisch leitendes Silizid umfasst undwobei die elektrisch leitfähige Verbindung aus der elektrisch leitfähigen Verbindung des Materials des ersten Thermoelements (TE1) und des zweiten Thermoelements (TE2) mit weiteren Atomsorten Titansilizid und/oder Wolframsilizid und/oder Kobaltsilizid und/oder Nickelsilizid und/oder ein anderes elektrisch leitendes Silizid umfasst undwobei die mögliche Dotierung des ersten Thermoelements (TE1) von einem ersten Dotierungstyp ist undwobei die mögliche Dotierung des zweiten Thermoelements (TE2) von einem zweiten Dotierungstyp ist undwobei der erste Dotierungstyp eine p-Dotierung oder eine n-Dotierung ist undwobei der zweite Dotierungstyp eine n-Dotierung ist, wenn der erste Dotierungstyp eine p-Dotierung ist undwobei der zweite Dotierungstyp eine p-Dotierung ist, wenn der erste Dotierungstyp eine n-Dotierung ist undwobei das das erste Thermoelement (TE1) und das zweite Thermoelement (TE2) elektrisch leitend mit einander verbindende Silizid in derselben Schichtebene eines CMOS-Stapels wie das erste Thermoelement (TE1) und das zweite Thermoelement (TE2) ist, gekennzeichnet dadurch, dassThermoelemente derselben Dotierung unmittelbar nebeneinander angeordnet sind, und,dass die Anschlussstellen des Thermopiles zur elektrischen Verbindung mit anderen elektronischen Bauelementen elektrisch leitendes Silizid umfassen. |
| 56 |
Cited documents identified in the search |
CT |
US000009349933B2
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| 56 |
Cited documents indicated by the applicant |
CT |
DE000010001943C2
DE000010001955A1
DE000010346741B3
DE102005045993B4
DE102012010627A1
DE102013000376A1
DE102013013664B3
DE102013019660A1
DE102014013482B4
DE102014019172A1
DE102015002271A1
DE102015006174B3
DE102015015389A1
DE102017100306A1
DE102017100308B3
DE112013002097A5
EP000000706648A1
EP000001258084A1
EP000001269929A1
EP000001410507A1
EP000001435509A1
EP000001480015A1
EP000001579307B1
EP000001671160A1
EP000001913420B1
EP000002016480A2
EP000002405283B1
EP000002679982A1
EP000002783232B1
EP000002817657B1
EP000002936201A1
US000006329696B1
WO002007012502A1
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Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
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| 56 |
Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
ASSION, Fabian: Titandisilizid-Kontakte für hochtemperaturtaugliche thermoelektrische Generatoren. Paderborn: 2015 1
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Citing documents |
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Determine documents
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
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