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Titel |
TI |
[DE] Siliziumkarbid-Bauelemente und Verfahren zum Bilden von Siliziumkarbid-Bauelementen |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Basler, Thomas, Dr., 85570, Ottenhofen, DE
;
Schulze, Hans-Joachim, 82024, Taufkirchen, DE
;
Stegner, Andre Rainer, 82008, Unterhaching, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
20.09.2018 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102018123210 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
27.02.2020 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/78
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/331
(2006.01)
H01L 21/336
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
H01L 29/161
(2006.01)
H01L 29/739
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 21/046
H01L 29/0603
H01L 29/0623
H01L 29/0684
H01L 29/083
H01L 29/0865
H01L 29/0869
H01L 29/0878
H01L 29/1095
H01L 29/1608
H01L 29/167
H01L 29/36
H01L 29/66068
H01L 29/7393
H01L 29/7397
H01L 29/78
H01L 29/7813
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 29/78
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/331
(2006.01)
H01L 21/336
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
H01L 29/161
(2006.01)
H01L 29/739
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Ein Siliziumkarbid-Bauelement umfasst eine Transistorzelle mit einer Vorderseiten-Dotierungsregion, einer Body-Region und einer Drift-Region. Die Body-Region umfasst einen ersten Abschnitt, der eine erste durchschnittliche Netto-Dotierungskonzentration aufweist, und einen zweiten Abschnitt, der eine zweite durchschnittliche Netto-Dotierungskonzentration aufweist. Der erste Abschnitt und der zweite Abschnitt weisen eine Erstreckung von zumindest 50 nm in eine vertikale Richtung auf. Die erste durchschnittliche Netto-Dotierungskonzentration ist zumindest das Zweifache der zweiten durchschnittlichen Netto-Dotierungskonzentration, und die erste durchschnittliche Netto-Dotierungskonzentration ist zumindest 1·10cm. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
US020180047721A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/331
H01L 21/336
H01L 29/06
H01L 29/08
H01L 29/10
H01L 29/161
H01L 29/167
H01L 29/16
H01L 29/739
H01L 29/78
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