Bibliografische Daten

Dokument DE102017131354A1 (Seiten: 20)

Dokument 1/1

Bibliografische Daten Dokument DE102017131354A1 (Seiten: 20)
INID	Kriterium	Feld	Inhalt
54	Titel	TI	[DE] Ein Halbleiterbauelement mit breitem Bandabstand und ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements mit breitem Bandabstand
71/73	Anmelder/Inhaber	PA	Infineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
72	Erfinder	IN	Lutz, Josef, 09126, Chemnitz, DE ; Rupp, Roland, 91207, Lauf, DE ; Schulze, Hans-Joachim, 82024, Taufkirchen, DE
22/96	Anmeldedatum	AD	27.12.2017
21	Anmeldenummer	AN	102017131354
	Anmeldeland	AC	DE
	Veröffentlichungsdatum	PUB	27.06.2019
33 31 32	Priorität	PRC PRN PRD
51	IPC-Hauptklasse	ICM	H01L 29/78 (2006.01)
51	IPC-Nebenklasse	ICS	H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/161 (2006.01) H01L 29/36 (2006.01)
	IPC-Zusatzklasse	ICA
	IPC-Indexklasse	ICI
	Gemeinsame Patentklassifikation	CPC	H01L 21/02529 H01L 21/046 H01L 21/26513 H01L 29/0603 H01L 29/0684 H01L 29/0878 H01L 29/1004 H01L 29/1095 H01L 29/1608 H01L 29/20 H01L 29/2003 H01L 29/36 H01L 29/6609 H01L 29/66477 H01L 29/7395 H01L 29/78 H01L 29/7802 H01L 29/861 H01L 29/8611
	MCD-Hauptklasse	MCM	H01L 29/78 (2006.01)
	MCD-Nebenklasse	MCS	H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/161 (2006.01) H01L 29/36 (2006.01)
	MCD-Zusatzklasse	MCA
57	Zusammenfassung	AB	[DE] Ein Halbleiterbauelement mit breitem Bandabstand umfasst eine erste Dotierungsregion eines ersten Leitf�higkeitstyps und eine zweite Dotierungsregion eines zweiten Leitf�higkeitstyps. Ein Driftabschnitt der zweiten Dotierungsregion weist eine erste durchschnittliche Nettodotierungskonzentration niedriger als 1e17 cmauf. Ein hoch dotierter Abschnitt der zweiten Dotierungsregion weist eine zweite durchschnittliche Nettodotierungskonzentration h�her als 5e18 cmauf. Ein Kompensationsabschnitt der zweiten Dotierungsregion ist zwischen dem Driftabschnitt und dem hoch dotierten Abschnitt angeordnet. Der Kompensationsabschnitt erstreckt sich von einem ersten Bereich mit einer Nettodotierungskonzentration h�her als 1e16 cmund niedriger als 1e17 cmzu einem zweiten Bereich, mit einer Nettodotierungskonzentration h�her als 5e18 cm, und ein maximaler Gradient der Nettodotierungskonzentration innerhalb zumindest einem Teil des Kompensationsabschnitts, der sich von dem zweiten Bereich in Richtung des ersten Bereichs f�r zumindest 100 nm erstreckt, ist niedriger als 5e22 cm.
56	Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, in Recherche ermittelt	CT	DE000003823795A1 DE102016111844A1 DE112016006385T5 EP000000103138A2 US020130221401A1
56	Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, vom Anmelder genannt	CT
56	Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, in Recherche ermittelt	CTNP
56	Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, vom Anmelder genannt	CTNP
	Zitierende Dokumente		Dokumente ermitteln
	Sequenzprotokoll
	Prüfstoff-IPC	ICP	H01L 21/265 H01L 21/336 H01L 29/10 H01L 29/12 H01L 29/161 H01L 29/16 H01L 29/20 H01L 29/36 H01L 29/739 H01L 29/78