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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zur Fertigung einer Schicht mit perowskitischem Material und Vorrichtung mit einer solchen Schicht |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Siemens Aktiengesellschaft, 80333, München, DE
;
Universität Bayreuth, 95447, Bayreuth, DE
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Erfinder |
IN |
Fleischer, Maximilian, Prof., 85635, Höhenkirchen-Siegertsbrunn, DE
;
Gujar, Tanaji, Dr., 95444, Bayreuth, DE
;
Hanft, Dominik, 95447, Bayreuth, DE
;
Moos, Ralf, Prof., 95447, Bayreuth, DE
;
Panzer, Fabian, 95448, Bayreuth, DE
;
Thelakkat, Mukundan, Prof., 95447, Bayreuth, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
19.02.2016 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102016202607 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
16.11.2017 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 51/48
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
C07F 7/24
(2006.01)
C23C 24/04
(2006.01)
H01L 51/46
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
C23C 24/04
C23C 28/04
H01G 9/0036
H01G 9/2009
H10K 2102/351
H10K 30/15
H10K 30/30
H10K 30/50
H10K 39/36
H10K 50/11
H10K 50/135
H10K 71/16
H10K 71/811
H10K 85/30
H10K 85/50
Y02E 10/542
Y02E 10/549
Y02P 70/50
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
C07F 7/24
(2006.01)
C23C 24/04
(2006.01)
H10K 99/00
(2023.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Das Verfahren dient zur Fertigung einer elektrooptischen und/oder optoelektronischen Schicht. Bei dem Verfahren wird die Schicht mit perowskitischem Material der Zusammensetzung ABX3 mittels Kaltgasspritzens zumindest eines das perowskitische Material aufweisenden Ausgangsmaterials gebildet. X ist dabei mit mindestens einem Halogen oder einer Mischung mehrerer Halogene gebildet. Bei dem Verfahren zur Herstellung einer elektrooptischen oder optoelektronischen Vorrichtung mit mindestens einer elektrooptischen oder optoelektronischen Schicht wird die zumindest eine elektrooptische oder optoelektronische Schicht mit einem perowskitischen Material mittels des zuvor genannten Verfahrens gebildet. Die Vorrichtung ist insbesondere eine elektrooptische oder optoelektronische Vorrichtung, idealerweise ein Energiewandler und/oder eine Solarzelle oder eine Leuchtdiode oder ein Röntgendetektor. Die Vorrichtung weist eine solche elektrooptische Schicht auf. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
US000007553376B2
US020090179155A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
HANFT, D. [u.a.]: An Overview of the Aerosol Deposition Method: Process Fundamentals and New Trends in Materials Applications. In: Journal of Ceramic Science and Technology, 6, 2015, 3, S. 147-182. - ISSN 2190-9385 p 0;
KE, W. [u.a.]: Efficient planar perovskite solar cells using room-temperature vacuum-processed C60 electron selective layers. In: J. Mater. Chem. A, 3, 13.08.2015, S. 17971-17976. - ISSN 2050-7488 p 0;
YAKUNIN, S. [u.a.]: Detection of X-ray photons by solution-processed organic-inorganic perovskites. In: Nature Photonics, 2015, S. 1 - 18. - ISSN 1749-4885 p 0
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
C07F 7/24
C23C 24/04
H01G 9/00
H01G 9/20
H01L 51/46
H01L 51/48
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