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Titel |
TI |
[DE] TRANSISTORBAUELEMENT MIT HOHER STROMFESTIGKEIT |
71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
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72 |
Erfinder |
IN |
Baburske, Roman, Dr., 83624, Otterfing, DE
;
Bhojani, Riteshkumar, 09126, Chemnitz, DE
;
Lutz, Josef, Prof. Dr., 09126, Chemnitz, DE
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Niedernostheide, Franz Josef, Dr., 49170, Hagen, DE
;
Schulze, Hans-Joachim, Dr., 82024, Taufkirchen, DE
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22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
25.08.2016 |
21 |
Anmeldenummer |
AN |
102016115801 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
29.10.2020 |
33 31 32 |
Priorität |
PRC PRN PRD |
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51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/739
(2006.01)
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51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 27/0222
H01L 29/0603
H01L 29/0619
H01L 29/0684
H01L 29/0696
H01L 29/0834
H01L 29/36
H01L 29/7393
H01L 29/7397
H03K 17/16
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 29/739
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Transistorbauelement, das aufweist:ein erstes Emittergebiet (12) von einem ersten Dotierungstyp, ein zweites Emittergebiet (14) von einem zweiten Dotierungstyp, ein Bodygebiet (13) vom zweiten Dotierungstyp, ein Driftgebiet (11) vom ersten Dotierungstyp, ein Feldstoppgebiet (15) vom ersten Dotierungstyp, und zumindest eine Booststruktur (30);eine Gateelektrode (21), die durch ein Gatedielektrikum (22) gegenüber dem Bodygebiet (13) dielektrisch isoliert ist,wobei das Bodygebiet (13) zwischen dem ersten Emittergebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist, das Feldstoppgebiet (15) zwischen dem Driftgebiet (11) und der Booststruktur (30) angeordnet ist, und die Booststruktur (30) zwischen dem Feldstoppgebiet (15) und dem zweiten Emittergebiet (14) angeordnet ist,wobei die zumindest eine Booststruktur (30) ein Basisgebiet (33) vom ersten Dotierungstyp und zumindest ein durch das Basisgebiet von dem zweiten Emittergebiet (14) getrenntes Hilfsemittergebiet (31) vom zweiten Dotierungstyp aufweist,und wobei eine Gesamtdotierstoffdosis in dem Driftgebiet (11) und dem Feldstoppgebiet (15) in einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements höher ist als eine Durchbruchsladung des Halbleitermaterials des Driftgebiets (11) und des Feldstoppgebiets (15). |
56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, in Recherche ermittelt |
CT |
DE000010361136A1 DE102005029263A1 DE102007020657A1 DE102013105057A1 DE102014101951A1 DE102015115723A1
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56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, vom Anmelder genannt |
CT |
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, in Recherche ermittelt |
CTNP |
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
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