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Title |
TI |
[DE] TRANSISTORBAUELEMENT MIT HOHER STROMFESTIGKEIT |
| 71/73 |
Applicant/owner |
PA |
Infineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
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| 72 |
Inventor |
IN |
Baburske, Roman, Dr., 83624, Otterfing, DE
;
Bhojani, Riteshkumar, 09126, Chemnitz, DE
;
Lutz, Josef, Prof. Dr., 09126, Chemnitz, DE
;
Niedernostheide, Franz Josef, Dr., 49170, Hagen, DE
;
Schulze, Hans-Joachim, Dr., 82024, Taufkirchen, DE
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| 22/96 |
Application date |
AD |
Aug 25, 2016 |
| 21 |
Application number |
AN |
102016115801 |
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Country of application |
AC |
DE |
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Publication date |
PUB |
Mar 1, 2018 |
33
31
32 |
Priority data |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC main class |
ICM |
H01L 29/739
(2006.01)
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| 51 |
IPC secondary class |
ICS |
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
H01L 27/0222
H01L 29/0603
H01L 29/0619
H01L 29/0684
H01L 29/0696
H01L 29/0834
H01L 29/36
H01L 29/7393
H01L 29/7397
H03K 17/16
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MCD main class |
MCM |
H01L 29/739
(2006.01)
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MCD secondary class |
MCS |
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MCD additional class |
MCA |
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| 57 |
Abstract |
AB |
[DE] Es ist ein Transistorbauelement offenbart. Das Transistorbauelement weist ein erstes Emittergebiet (12) von einem ersten Dotierungstyp, ein zweites Emittergebiet (14) von einem zweiten Dotierungstyp, ein Bodygebiet (13) vom zweiten Dotierungstyp, ein Driftgebiet (11) vom ersten Dotierungstyp, ein Feldstoppgebiet (15) vom ersten Dotierungstyp, zumindest eine Booststruktur (30) und eine Gateelektrode (21), die durch ein Gatedielektrikum (22) gegenüber dem Bodygebiet (13) dielektrisch isoliert ist, auf. Das Bodygebiet (13) ist zwischen dem ersten Emittergebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet, das Feldstoppgebiet (15) ist zwischen dem Driftgebiet (11) und der zumindest einen Booststruktur (30) angeordnet, und die Booststruktur (30) ist zwischen dem Feldstoppgebiet (15) und dem zweiten Emittergebiet (14) angeordnet. Die zumindest eine Booststruktur (30) weist ein Basisgebiet (33) vom ersten Dotierungstyp und zumindest ein durch das Basisgebiet von dem zweiten Emittergebiet (14) getrenntes Hilfsemittergebiet (31) vom zweiten Dotierungstyp auf. Eine Gesamtdotierstoffdosis in dem Driftgebiet (11) und dem Feldstoppgebiet (15) in einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements ist höher als eine Durchbruchsladung eines Halbleitermaterials des Driftgebiets (11) und des Feldstoppgebiets (15). |
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Cited documents identified in the search |
CT |
DE000010361136A1
DE102005029263A1
DE102007020657A1
DE102013105057A1
DE102014101951A1
DE102015115723A1
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| 56 |
Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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| 56 |
Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
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| 56 |
Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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No results
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
H01L 21/331
H01L 29/06
H01L 29/08
H01L 29/739
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