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Titel |
TI |
[DE] TRANSISTORBAUELEMENT MIT HOHER STROMFESTIGKEIT |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Baburske, Roman, Dr., 83624, Otterfing, DE
;
Bhojani, Riteshkumar, 09126, Chemnitz, DE
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Lutz, Josef, Prof. Dr., 09126, Chemnitz, DE
;
Niedernostheide, Franz Josef, Dr., 49170, Hagen, DE
;
Schulze, Hans-Joachim, Dr., 82024, Taufkirchen, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
25.08.2016 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102016115801 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
01.03.2018 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/739
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 27/0222
H01L 29/0603
H01L 29/0619
H01L 29/0684
H01L 29/0696
H01L 29/0834
H01L 29/36
H01L 29/7393
H01L 29/7397
H03K 17/16
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 29/739
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Es ist ein Transistorbauelement offenbart. Das Transistorbauelement weist ein erstes Emittergebiet (12) von einem ersten Dotierungstyp, ein zweites Emittergebiet (14) von einem zweiten Dotierungstyp, ein Bodygebiet (13) vom zweiten Dotierungstyp, ein Driftgebiet (11) vom ersten Dotierungstyp, ein Feldstoppgebiet (15) vom ersten Dotierungstyp, zumindest eine Booststruktur (30) und eine Gateelektrode (21), die durch ein Gatedielektrikum (22) gegenüber dem Bodygebiet (13) dielektrisch isoliert ist, auf. Das Bodygebiet (13) ist zwischen dem ersten Emittergebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet, das Feldstoppgebiet (15) ist zwischen dem Driftgebiet (11) und der zumindest einen Booststruktur (30) angeordnet, und die Booststruktur (30) ist zwischen dem Feldstoppgebiet (15) und dem zweiten Emittergebiet (14) angeordnet. Die zumindest eine Booststruktur (30) weist ein Basisgebiet (33) vom ersten Dotierungstyp und zumindest ein durch das Basisgebiet von dem zweiten Emittergebiet (14) getrenntes Hilfsemittergebiet (31) vom zweiten Dotierungstyp auf. Eine Gesamtdotierstoffdosis in dem Driftgebiet (11) und dem Feldstoppgebiet (15) in einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements ist höher als eine Durchbruchsladung eines Halbleitermaterials des Driftgebiets (11) und des Feldstoppgebiets (15). |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000010361136A1
DE102005029263A1
DE102007020657A1
DE102013105057A1
DE102014101951A1
DE102015115723A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/331
H01L 29/06
H01L 29/08
H01L 29/739
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