Bibliografische Daten

Dokument DE102016001949A1 (Seiten: 19)

Bibliografische Daten Dokument DE102016001949A1 (Seiten: 19)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verfahren zur Herstellung von auf Silizium basierenden Anoden für Sekundärbatterien
71/73 Anmelder/Inhaber PA Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf e. V., 01328, Dresden, DE ; Technische Universität Bergakademie Freiberg, 09599, Freiberg, DE
72 Erfinder IN Cherkouk, Charaf, 01324, Dresden, DE ; Leisegang, Tilmann, 01097, Dresden, DE ; Meyer, Dirk C., 01326, Dresden, DE ; Prucnal, Slavomir, 01328, Dresden, DE ; Pérez, Teresa Orellana, 09599, Freiberg, DE ; Skorupa, Wolfgang, 01108, Dresden, DE
22/96 Anmeldedatum AD 15.02.2016
21 Anmeldenummer AN 102016001949
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 17.08.2017
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Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM H01M 4/1395 (2010.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01M 10/0562 (2010.01)
H01M 4/134 (2010.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01M 10/052
H01M 4/0409
H01M 4/0421
H01M 4/0471
H01M 4/134
H01M 4/386
MCD-Hauptklasse MCM H01M 4/1395 (2010.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01M 10/0562 (2010.01)
H01M 4/134 (2010.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von auf Silizium basierenden Anoden für Sekundärbatterien, wobei die Sekundärbatterien zumindest aus der Anode, aus mindestens einem Elektrolyten und einer Gegenelektrode bestehen. Dabei werden folgende Schritte zur Herstellung einer Anode (20) durchgeführt: – Abscheiden einer Silizium-Schicht (3) auf einem Korngrenzen (2) aufweisenden Metallsubstrat (1), wobei die Silizium-Schicht (3) zum Metallsubstrat (1) gerichtet eine erste Grenzfläche (14) aufweist, – Beheizen des Metallsubstrats (1) mittels einer Heizeinheit (22) auf eine Temperatur zwischen 200°C und 1000°C, – Tempern des Bereiches der dem Metallsubstrat (1) abgewandten zweiten Grenzfläche (15) der Silizium-Schicht (3) mittels einer energieintensiven Bestrahlung während der Beheizung, – Erzeugen von Mehrphasen im Bereich der Silizium-Schicht (3) und des Metallsubstrats (1), bestehend aus amorphem Silizium und/oder kristallinem Silizium des Siliziums der Silizium-Schicht (3) und aus kristallinem Metall des Metallsubstrats (1) und aus Silizid und – Erzeugen von kristallinem Metall des Metallsubstrats (1).
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT US020110254128A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT US020140370386A1
WO002012158608A1
WO002015021368A1
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
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Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01M 10/0562
H01M 4/134
H01M 4/1395