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Titel |
TI |
[DE] HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINER KLEMMSTRUKTUR |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Baburske, Roman, Dr., 83624, Otterfing, DE
;
Basler, Thomas, Dr., 85521, Riemerling, DE
;
Kimmer, Thomas, Pörtschach, AT
;
Schulze, Hans-Joachim, Dr., 82024, Taufkirchen, DE
;
Voss, Stephan, Dr., 81549, München, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
15.07.2015 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102015111479 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
24.09.2020 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 23/62
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 27/06
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
H01L 29/872
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 2224/48247
H01L 2224/49113
H01L 23/4952
H01L 23/49562
H01L 23/62
H01L 25/18
H01L 27/0248
H01L 27/0255
H01L 27/0694
H01L 27/0727
H01L 27/0814
H01L 29/0615
H01L 29/0619
H01L 29/0834
H01L 29/402
H01L 29/7395
H01L 29/861
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 23/62
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 27/06
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
H01L 29/872
(2006.01)
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|
MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Halbleitervorrichtung, umfassend:einen Halbleiterkörper (101), der eine Klemmstruktur (102) umfasst, die eine pn-Übergangsdiode (103) und eine Schottky-Übergangsdiode (104) aufweist, die antiseriell zwischen einem ersten Kontakt (C11, C12) und einem zweiten Kontakt (C21, C22) verbunden sind, wobei eine Durchbruchspannung (V) der pn-Übergangsdiode (103) größer ist als 100 V und eine Durchbruchspannung (V) der Schottky-Übergangsdiode größer ist als 10 V; und weiterhin umfassendeinen Leistungstransistor (110), der erste und zweite Lastanschlüsse (L1, L2) und einen Steueranschluss (C) aufweist, wobei die Klemmstruktur (102) elektrisch zwischen dem Steueranschluss (C) und dem zweiten Lastanschluss (L2) verbunden ist, der zweite Lastanschluss (L2) ein Drainkontakt eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate, ein Kollektorkontakt eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate oder ein Kollektorkontakt eines bipolaren Übergangstransistors ist, der Steueranschluss (C) ein entsprechender Kontakt eines Gates eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate, eines Gates eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate oder einer Basis eines bipolaren Übergangstransistors ist. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000069330455T2
DE102004007991B4
DE102004047749B4
DE102008032711A1
DE102010038731B3
EP000000566179A1
JP0000H0715009A
JP002002246610A
US000006353236B1
US000006424028B1
US020090296291A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 23/62
H01L 27/06
H01L 29/06
H01L 29/10
H01L 29/40
H01L 29/872
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