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Titel |
TI |
[DE] Anordnung von Halbleiterelementen auf einem Halbleitermodul für ein Leistungsmodul oder entsprechendes Verfahren |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
AUDI AG, 85045, Ingolstadt, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Apelsmeier, Andreas, 85131, Pollenfeld, DE
;
Asam, Johann, 86559, Adelzhausen, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
06.10.2015 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102015012915 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
15.10.2020 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 25/18
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/50
(2006.01)
H01L 21/60
(2006.01)
H01L 23/488
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 2224/29101
H01L 2224/32225
H01L 2224/33
H01L 2224/33181
H01L 2224/37139
H01L 2224/37147
H01L 2224/37599
H01L 2224/40095
H01L 2224/40137
H01L 2224/40225
H01L 2224/83801
H01L 2224/8384
H01L 2224/84801
H01L 2224/8484
H01L 23/051
H01L 24/29
H01L 24/32
H01L 24/33
H01L 24/37
H01L 24/40
H01L 24/41
H01L 24/83
H01L 24/84
H01L 25/072
H01L 25/115
H01L 25/18
H01L 2924/00014
H01L 2924/1203
H01L 2924/13055
H01L 2924/13091
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 25/18
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/50
(2006.01)
H01L 21/60
(2006.01)
H01L 23/488
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Halbleitermodul (10) mit mindestens einem ersten Halbleiterelement (12), das eine erste Seite mit einer ersten Elektrode (12.1) und eine zweite Seite mit einer zweiten Elektrode (12.2) aufweist, und mindestens einem zweiten Halbleiterelement (14), das eine erste Seite mit einer ersten Elektrode (14.1) und eine zweite Seite mit einer zweiten Elektrode (14.2) aufweist, wobei das erste Halbleiterelement (12) über dem zweiten Halbleiterelement (14) angeordnet ist und zwischen dem ersten Halbleiterelement (12) und dem zweiten Halbleiterelement (14) eine elektrisch leitende Verbindung (21) angeordnet ist, wobei die zweite Elektrode (12.2) des ersten Halbleiterelements (12) mit der elektrisch leitenden Verbindung (21) mechanisch und elektrisch verbunden ist und die erste Elektrode (14.1) des zweiten Halbleiterelements (14) mit der elektrisch leitenden Verbindung (21) mechanisch und elektrisch verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermodul (10) des weiteren ein drittes und ein viertes Halbleiterelement (16, 18) umfasst, und in einem ersten Abschnitt (13) das erste Halbleiterelement (12) einer ersten Schaltseite zugeordnet ist und räumlich über dem zweiten Halbleiterelement (14), das einer zweiten Schaltseite zugeordnet ist, angeordnet ist und in einem von dem ersten Abschnitt (13) getrennten zweiten Abschnitt (15) das dritte Halbleiterelement (16) der zweiten Schaltseite zugeordnet ist und über dem vierten Halbleiterelement (18), das der ersten Schaltseite zugeordnet ist, angeordnet ist, und wobei eine zweite Elektrode (18.2) auf einer zweiten Seite des vierten Halbleiterelements (18) mit der ersten Elektrode (12.1) des ersten Halbleiterelements (12) elektrisch leitend verbunden ist und die zweite Elektrode (14.2) des zweiten Halbleiterelements (14) mit einer ersten Elektrode (16.1) auf einer ersten Seite des dritten Halbleiterelements (16) elektrisch leitend verbunden ist, wobei ein erster Anschluss (37) mit der zweiten Elektrode (18.2) des vierten Halbleiterelements (18) und ein zweiter Anschluss (39) mit der zweiten Elektrode (14.2) des zweiten Halbleiterelements (14) elektrisch verbunden ist und die elektrisch leitende Verbindung (21) eine zweite Elektrode (12.2) des ersten Halbleiterelements (12) und eine erste Elektrode (14.1) des zweiten Halbleiterelements (14) mit einer zweiten Elektrode (16.2) auf einer zweiten Seite des dritten Halbleiterelements (16) und einer ersten Elektrode (18.1) auf einer ersten Seite des vierten Halbleiterelements (18) elektrisch verbindet, wobei an der elektrisch leitenden Verbindung (21) ein dritter Anschluss (41) des Halbleitermoduls (10) angeordnet ist, und wobei das zweite Halbleiterelement (14) über einer Isolierschicht (43) und unter dem ersten Halbleiterelement (12) angeordnet ist, und das vierte Halbleiterelement (18) über der Isolierschicht (43) und unter dem dritten Halbleiterelement (16) angeordnet ist. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE102006050291A1
EP000002546874A1
US000007466020B2
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 23/488
H01L 25/07
H01L 25/18
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