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Titel |
TI |
[DE] LEISTUNGSHALBLEITERMODUL MIT KURZSCHLUSS-AUSFALLMODUS |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Danfoss Silicon Power GmbH, 24941, Flensburg, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Becker, Martin, 24118, Kiel, DE
;
Eisele, Ronald, 24229, Surendorf, DE
;
Kock, Mathias, 25557, Gokels, DE
;
Lutz, Josef, 09126, Chemnitz, DE
;
Osterwald, Frank, 24159, Kiel, DE
;
Rudzki, Jacek, 24107, Kiel, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
24.10.2014 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102014221687 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
04.07.2019 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 23/62
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 29/739
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 2224/45015
H01L 2224/45124
H01L 2224/45147
H01L 2224/4847
H01L 2224/48491
H01L 2224/85423
H01L 2224/85439
H01L 2224/85444
H01L 2224/85447
H01L 23/62
H01L 24/04
H01L 24/07
H01L 24/45
H01L 24/48
H01L 2924/00014
H01L 2924/13055
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 23/62
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 29/739
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Leistungshalbleitermodul (10), welches aus einem Betriebsmodus in einen explosionsfreien robusten Kurzschlussausfallmodus versetzbar ist und aufweist:a) einen Leistungshalbleiter (1) mit an dessen Oberseite (2) durch Isolierungen und Passivierungen abgetrennten, zumindest eine Potentialfläche bildenden Metallisierungen (3),b) einer des Weiteren vorgesehenen elektrisch leitenden Verbindungsschicht,c) auf welcher zumindest ein, einen geringen lateralen elektrischen Widerstand aufweisender, gegenüber der Verbindungsschicht deutlich dickerer Metallformkörper (4) durch Sintern so aufgebracht ist, dass dieser stofflich mit der jeweiligen Potentialfläche verbunden ist,d) wobei der Metallformkörper (4) Mittel zu einer derartigen lateralen Vergleichmäßigung eines durch ihn fließenden Stromes aufweist, dass eine laterale Stromflusskomponente (5) aufrechterhalten bleibt, und wobei der Metallformkörper (4) zumindest einen hochstromfähigen Anschluss (6) trägte) und wobei ein Übergang aus dem Betriebsmodus in den robusten Kurzschlussausfallmodus dadurch explosionsfrei erfolgt, dass die Anschlüsse (6) derart kontaktiert und dimensioniert sind, dassf) bei einem Überlaststrom von größer als dem Mehrfachen des Nennstromes des Leistungshalbleiters der Betriebsmodus in den Kurzschlussausfallmodus mit an dem Metallformkörper verbleibenden Anschlüssen ohne Bildung von Lichtbögen explosionsfrei wechselt, undg) der Anschluss zum Metallformkörper (4) mit einer Mindestquerschnittsfläche A ausgestattet ist, wobei sich A ermittelt aus dem Produkt aus Strom Iim ungünstigen Fall und wobei &zgr; im Bereich 0,0001 bis 0,0005 mm/A liegt, wobeih) der Metallformkörper (4) auf seiner der Verbindungsschicht zugewandten Seite eine Fläche aufweist, welche größer ist als eine Fläche der elektrischen Verbindung zu der zugehörigen Potentialfläche, und der Metallformkörper (4) mit seinem Überstand auf einer organischen, nicht-leitenden Trägerfolie fixiert ist. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000010122363A1
DE102005046063B3
DE102005054872A1
DE102008056145A1
DE102011115886A1
DE102011115887A1
DE202012004434U1
EP000000520294A1
EP000002230689A1
US000007364950B2
WO002013053419A1
WO002013053420A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
Billmann et al., Proceedings PCIM Europe 2009 1;
Gekenidis et al., Reprint from the International Symposium und Power Semiconductor Devices and ICs, Mai 1999, Toronto, Kanada 1
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 23/62
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