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Document DE102014221687A1 (Pages: 14)

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Bibliographic data Document DE102014221687A1 (Pages: 14)
INID	Criterion	Field	Contents
54	Title	TI	[DE] LEISTUNGSHALBLEITERMODUL MIT KURZSCHLUSS-AUSFALLMODUS
71/73	Applicant/owner	PA	Danfoss Silicon Power GmbH, 24941, Flensburg, DE
72	Inventor	IN	Becker, Martin, 24118, Kiel, DE ; Eisele, Ronald, 24229, Surendorf, DE ; Kock, Mathias, 25557, Gokels, DE ; Lutz, Josef, 09126, Chemnitz, DE ; Osterwald, Frank, 24159, Kiel, DE ; Rudzki, Jacek, 24107, Kiel, DE
22/96	Application date	AD	Oct 24, 2014
21	Application number	AN	102014221687
	Country of application	AC	DE
	Publication date	PUB	Apr 28, 2016
33 31 32	Priority data	PRC PRN PRD
51	IPC main class	ICM	H01L 23/62 (2006.01)
51	IPC secondary class	ICS	H01L 29/739 (2006.01)
	IPC additional class	ICA
	IPC index class	ICI
	Cooperative patent classification	CPC	H01L 2224/45015 H01L 2224/45124 H01L 2224/45147 H01L 2224/4847 H01L 2224/48491 H01L 2224/85423 H01L 2224/85439 H01L 2224/85444 H01L 2224/85447 H01L 23/62 H01L 24/04 H01L 24/07 H01L 24/45 H01L 24/48 H01L 2924/00014 H01L 2924/13055
	MCD main class	MCM	H01L 23/62 (2006.01)
	MCD secondary class	MCS	H01L 29/739 (2006.01)
	MCD additional class	MCA
57	Abstract	AB	[DE] Es wird ein Leistungshalbleitermodul 10 beschrieben, welches von einem normalen Betriebsmodus in einen explosionsfreien robusten Kurzschlussausfallmodus versetzbar ist. Dieses Leistungshalbleitermodul 10 weist einen Leistungshalbleiter 1 auf, welcher an seiner Oberseite 2 durch Isolierungen und Passivierungen abgetrennte, Potentialfl�chen bildende Metallisierungen 3 aufweist. Des Weiteren ist eine elektrisch leitende Verbindungsschicht vorgesehen, auf welcher zumindest ein einen geringen lateralen elektrischen Widerstand aufweisender, gegen�ber der Verbindungsschicht deutlich dickerer Metallformk�rper 4 angeordnet ist, welcher durch Sintern der Verbindungsschicht so aufgebracht ist, dass dieser stofflich mit der jeweiligen Potentialfl�che verbunden ist. Der Metallformk�rper 4 ist so ausgebildet und mit Mitteln zu einer derartigen lateralen Vergleichm��igung eines durch ihn flie�enden Stromes ausgelegt, dass eine laterale Stromflusskomponente 5 so lange aufrechterhalten bleibt, bis dieses Modul zur Vermeidung einer Explosion abschaltet, wobei der Metallformk�rper 4 hochstromf�hige Anschl�sse 6 tr�gt. Ein �bergang aus dem Betriebsmodus in den robusten Ausfallmodus erfolgt nun explosionsfrei dadurch, dass die Anschl�sse 6 derart kontaktiert und dimensioniert sind, dass bei �berlaststr�men von gr��er als dem Mehrfachen des Nennstromes des Leistungshalbleiters 1 der Betriebsmodus in den Kurzschlussausfallmodus mit an dem Metallformk�rper 4 verbleibenden Anschl�sse 6 ohne Bildung von Lichtb�gen explosionsfrei wechselt.
56	Cited documents identified in the search	CT	DE000010122363A1 DE102005046063B3 DE102005052872A1 DE102005054872A1 DE102008056145A1 DE102011115886A1 DE102011115887A1 DE202012004434U1 EP000002230689A1 US000007364950B2
56	Cited documents indicated by the applicant	CT	DE202001200443U1 EP000000520294A1 WO002013053419A1 WO002013053420A1
56	Cited non-patent literature identified in the search	CTNP
56	Cited non-patent literature indicated by the applicant	CTNP	"Explosion Tests on IGBT High Voltage Modules" von Gekenidis et al., Reprint from the International Symposium und Power Semicondutor Devices and ICs, Mai 1999, Toronto, Kanada 1; Conference Paper "Explosion Proof Housings for IGBT Module based High Power Inverters in HVDC Transmission Application", von Billmann et al., Proceedings PCIM Europe 2009 Conference 1
	Citing documents		No results
	Sequence listings
	Search file IPC	ICP	H01L 23/62 H01L 29/739