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Titel |
TI |
[DE] LEISTUNGSHALBLEITERMODUL MIT KURZSCHLUSS-AUSFALLMODUS |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Danfoss Silicon Power GmbH, 24941, Flensburg, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Becker, Martin, 24118, Kiel, DE
;
Eisele, Ronald, 24229, Surendorf, DE
;
Kock, Mathias, 25557, Gokels, DE
;
Lutz, Josef, 09126, Chemnitz, DE
;
Osterwald, Frank, 24159, Kiel, DE
;
Rudzki, Jacek, 24107, Kiel, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
24.10.2014 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102014221687 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
28.04.2016 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 23/62
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 29/739
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 2224/45015
H01L 2224/45124
H01L 2224/45147
H01L 2224/4847
H01L 2224/48491
H01L 2224/85423
H01L 2224/85439
H01L 2224/85444
H01L 2224/85447
H01L 23/62
H01L 24/04
H01L 24/07
H01L 24/45
H01L 24/48
H01L 2924/00014
H01L 2924/13055
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 23/62
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 29/739
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Es wird ein Leistungshalbleitermodul 10 beschrieben, welches von einem normalen Betriebsmodus in einen explosionsfreien robusten Kurzschlussausfallmodus versetzbar ist. Dieses Leistungshalbleitermodul 10 weist einen Leistungshalbleiter 1 auf, welcher an seiner Oberseite 2 durch Isolierungen und Passivierungen abgetrennte, Potentialflächen bildende Metallisierungen 3 aufweist. Des Weiteren ist eine elektrisch leitende Verbindungsschicht vorgesehen, auf welcher zumindest ein einen geringen lateralen elektrischen Widerstand aufweisender, gegenüber der Verbindungsschicht deutlich dickerer Metallformkörper 4 angeordnet ist, welcher durch Sintern der Verbindungsschicht so aufgebracht ist, dass dieser stofflich mit der jeweiligen Potentialfläche verbunden ist. Der Metallformkörper 4 ist so ausgebildet und mit Mitteln zu einer derartigen lateralen Vergleichmäßigung eines durch ihn fließenden Stromes ausgelegt, dass eine laterale Stromflusskomponente 5 so lange aufrechterhalten bleibt, bis dieses Modul zur Vermeidung einer Explosion abschaltet, wobei der Metallformkörper 4 hochstromfähige Anschlüsse 6 trägt. Ein Übergang aus dem Betriebsmodus in den robusten Ausfallmodus erfolgt nun explosionsfrei dadurch, dass die Anschlüsse 6 derart kontaktiert und dimensioniert sind, dass bei Überlastströmen von größer als dem Mehrfachen des Nennstromes des Leistungshalbleiters 1 der Betriebsmodus in den Kurzschlussausfallmodus mit an dem Metallformkörper 4 verbleibenden Anschlüsse 6 ohne Bildung von Lichtbögen explosionsfrei wechselt. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000010122363A1
DE102005046063B3
DE102005052872A1
DE102005054872A1
DE102008056145A1
DE102011115886A1
DE102011115887A1
DE202012004434U1
EP000002230689A1
US000007364950B2
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
DE202001200443U1
EP000000520294A1
WO002013053419A1
WO002013053420A1
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
"Explosion Tests on IGBT High Voltage Modules" von Gekenidis et al., Reprint from the International Symposium und Power Semicondutor Devices and ICs, Mai 1999, Toronto, Kanada 1;
Conference Paper "Explosion Proof Housings for IGBT Module based High Power Inverters in HVDC Transmission Application", von Billmann et al., Proceedings PCIM Europe 2009 Conference 1
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 23/62
H01L 29/739
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