| 54 |
Title |
TI |
[DE] Verfahren zur trockenen Herstellung von Schichten bestehend aus Halogen-Perwoskiten zur Anwendung in optoelektronischen Bauteilen |
| 71/73 |
Applicant/owner |
PA |
Leupold, Nico, M.Sc., 95233, Helmbrechts, DE
;
Moos, Ralf, Prof. Dr.-Ing., 95447, Bayreuth, DE
;
Panzer, Fabian, Dr., 95448, Bayreuth, DE
|
| 72 |
Inventor |
IN |
Leupold, Nico, M.Sc., 95233, Helmbrechts, DE
;
Moos, Ralf, Prof.Dr.-Ing., 95447, Bayreuth, DE
;
Panzer, Fabian, Dr., 95448, Bayreuth, DE
|
| 22/96 |
Application date |
AD |
Dec 20, 2019 |
| 21 |
Application number |
AN |
102019008940 |
|
Country of application |
AC |
DE |
|
Publication date |
PUB |
Jun 24, 2021 |
33
31
32 |
Priority data |
PRC
PRN
PRD |
|
| 51 |
IPC main class |
ICM |
C23C 24/04
(2006.01)
|
| 51 |
IPC secondary class |
ICS |
|
|
IPC additional class |
ICA |
|
|
IPC index class |
ICI |
|
|
Cooperative patent classification |
CPC |
C23C 24/08
C23C 24/082
C23C 24/10
|
|
MCD main class |
MCM |
C23C 24/04
(2006.01)
|
|
MCD secondary class |
MCS |
|
|
MCD additional class |
MCA |
|
| 57 |
Abstract |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur trockenen Herstellung von Schichten bestehend aus Halogen-Perowskiten.Bei bisherigen relevanten Prozessrouten zur Herstellung von insbesondere dünnen Perowskitschichten gestaltet sich die Hochskalierung schwierig, werden große Mengen toxischer Lösungsmittel benötigt, ist die Einstellung der exakten Stöchiometrie komplex und/oder ist die Oberflächenqualität der Schichten nicht ausreichend. Zudem sind häufig Perowskitsynthese und Schichtbildung miteinander gekoppelt, was die Optimierung erschwert.Das Verfahren umgeht die genannten Nachteile, indem ein pulverförmiger Ausgangsstoff, der zumindest teilweise aus Halogen-Perowskit besteht, in einem zweistufigen Verfahren in eine Schicht überführt wird. Dabei wird das Ausgangspulver in einen ersten Schritt lösemittelfrei mittels Kaltgasspritzens verarbeitet und in einem anschließenden Schritt durch das Aufgeben eines Drucks nachbehandelt. Dadurch wird einerseits eine gute Anbindung zum Substrat erreicht und andererseits werden durch die Druckbehandlung die Schichteigenschaften verbessert, derart, dass mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Schichten sich für den Einsatz in optoelektronischen und elektrooptischen Bauteilen eignen. |
| 56 |
Cited documents identified in the search |
CT |
|
| 56 |
Cited documents indicated by the applicant |
CT |
|
| 56 |
Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
|
| 56 |
Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
|
|
Citing documents |
|
Determine documents
|
|
Sequence listings |
|
|
|
Search file IPC |
ICP |
C23C 24/04
|
