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Document DE102014118664A1 (Pages: 16)

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Bibliographic data Document DE102014118664A1 (Pages: 16)
INID	Criterion	Field	Contents
54	Title	TI	[DE] Leistungshalbleitervorrichtung mit verbesserter Stabilit�t und Verfahren zur Herstellung derselben
71/73	Applicant/owner	PA	Infineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
72	Inventor	IN	Lutz, Josef, Prof. Dr., 09126, Chemnitz, DE ; Pertermann, Eric, 09126, Chemnitz, DE ; Schulze, Hans-Joachim, Dr., 82024, Taufkirchen, DE
22/96	Application date	AD	Dec 15, 2014
21	Application number	AN	102014118664
	Country of application	AC	DE
	Publication date	PUB	Jun 16, 2016
33 31 32	Priority data	PRC PRN PRD
51	IPC main class	ICM	H01L 29/739 (2006.01)
51	IPC secondary class	ICS	H01L 21/33 (2006.01) H01L 27/07 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01) H01L 29/88 (2006.01)
	IPC additional class	ICA
	IPC index class	ICI
	Cooperative patent classification	CPC	H10D 12/441 H10D 12/481 H10D 62/125 H10D 62/127 H10D 62/142 H10D 8/00 H10D 8/041 H10D 8/053 H10D 8/70 H10D 8/80 H10D 89/611
	MCD main class	MCM	H01L 29/739 (2006.01)
	MCD secondary class	MCS	H01L 21/33 (2006.01) H01L 27/07 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01) H01L 29/88 (2006.01)
	MCD additional class	MCA
57	Abstract	AB	[DE] Eine Leistungshalbleitervorrichtung umfasst einen ersten Kontakt, einen zweiten Kontakt, ein Halbleitervolumen, welches zwischen dem ersten Kontakt und dem zweiten Kontakt angeordnet ist. Das Halbleitervolumen umfasst eine n-dotierte Feldstoppschicht, um ein elektrisches Feld, das w�hrend des Betriebs der Leistungshalbleitervorrichtung im Halbleitervolumen ausgebildet wird, r�umlich zu begrenzen, eine stark p-dotierte Zone und eine benachbarte, stark n-dotierte Zone, die gemeinsam eine Tunneldiode ausbilden, wobei die Tunneldiode in der N�he der, oder angrenzend an die, oder innerhalb der Feldstoppschicht angeordnet ist, und wobei die Tunneldiode dazu angepasst ist, um Schutz vor Sch�den an der Vorrichtung aufgrund eines Anstiegs eines Elektronenflusses in einem anormalen Betriebszustand durch die schnelle Bereitstellung von L�chern bereitzustellen. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung solcher Vorrichtungen bereitgestellt.
56	Cited documents identified in the search	CT	US020140334212A1 WO002012046329A1
56	Cited documents indicated by the applicant	CT	DE102006046845B4 US020070170514A1
56	Cited non-patent literature identified in the search	CTNP	Jiang, H. et al.: Band-to-Band Tunneling Injection Insulated-Gate Bipolar Transistor with a Soft Reverse-Recovery Built-In Diode. In: IEEE Electron Device Letters, 33, 2012, 12, 1684. p 0
56	Cited non-patent literature indicated by the applicant	CTNP	W. Kaindl: „Modellierung h�henstrahlungsinduzierter Ausf�lle in Halbleiterleistungsbauelementen“, Dissertation, Technische Universit�t M�nchen, 2005 1
	Citing documents		DE102016111844A1 DE102021115946A1 US000010186587B2 US000010529809B2
	Sequence listings
	Search file IPC	ICP	H01L 27/07 H01L 29/06 H01L 29/739 H01L 29/78 H01L 29/88