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Titel |
TI |
[DE] Leistungshalbleitervorrichtung mit verbesserter Stabilität und Verfahren zur Herstellung derselben |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
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Erfinder |
IN |
Lutz, Josef, Prof. Dr., 09126, Chemnitz, DE
;
Pertermann, Eric, 09126, Chemnitz, DE
;
Schulze, Hans-Joachim, Dr., 82024, Taufkirchen, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
15.12.2014 |
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Anmeldenummer |
AN |
102014118664 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
16.06.2016 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/739
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/33
(2006.01)
H01L 27/07
(2006.01)
H01L 29/78
(2006.01)
H01L 29/88
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 27/0255
H01L 29/0688
H01L 29/0696
H01L 29/0834
H01L 29/66121
H01L 29/66151
H01L 29/7395
H01L 29/7397
H01L 29/861
H01L 29/87
H01L 29/88
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 29/739
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/33
(2006.01)
H01L 27/07
(2006.01)
H01L 29/78
(2006.01)
H01L 29/88
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Eine Leistungshalbleitervorrichtung umfasst einen ersten Kontakt, einen zweiten Kontakt, ein Halbleitervolumen, welches zwischen dem ersten Kontakt und dem zweiten Kontakt angeordnet ist. Das Halbleitervolumen umfasst eine n-dotierte Feldstoppschicht, um ein elektrisches Feld, das während des Betriebs der Leistungshalbleitervorrichtung im Halbleitervolumen ausgebildet wird, räumlich zu begrenzen, eine stark p-dotierte Zone und eine benachbarte, stark n-dotierte Zone, die gemeinsam eine Tunneldiode ausbilden, wobei die Tunneldiode in der Nähe der, oder angrenzend an die, oder innerhalb der Feldstoppschicht angeordnet ist, und wobei die Tunneldiode dazu angepasst ist, um Schutz vor Schäden an der Vorrichtung aufgrund eines Anstiegs eines Elektronenflusses in einem anormalen Betriebszustand durch die schnelle Bereitstellung von Löchern bereitzustellen. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung solcher Vorrichtungen bereitgestellt. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
US020140334212A1
WO002012046329A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
DE102006046845B4
US020070170514A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
Jiang, H. et al.: Band-to-Band Tunneling Injection Insulated-Gate Bipolar Transistor with a Soft Reverse-Recovery Built-In Diode. In: IEEE Electron Device Letters, 33, 2012, 12, 1684. p 0
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
W. Kaindl: „Modellierung höhenstrahlungsinduzierter Ausfälle in Halbleiterleistungsbauelementen“, Dissertation, Technische Universität München, 2005 1
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 27/07
H01L 29/06
H01L 29/739
H01L 29/78
H01L 29/88
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