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Bibliografische Daten

Dokument DE102014110222B4 (Seiten: 13)

Bibliografische Daten Dokument DE102014110222B4 (Seiten: 13)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung von Ober- und Unterseite eines Halbleitersubstrats
71/73 Anmelder/Inhaber PA Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686, München, DE
72 Erfinder IN Dannenberg, Tobias, 79106, Freiburg, DE ; Richter, Maxi, 79115, Freiburg, DE ; Seyhan, Ümit, 79100, Freiburg, DE ; Volk, Anne-Kristin, 79110, Freiburg, DE ; Zimmer, Martin, 79117, Freiburg, DE
22/96 Anmeldedatum AD 21.07.2014
21 Anmeldenummer AN 102014110222
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 23.06.2016
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31
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Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 21/306 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS C23F 1/00 (2006.01)
H01L 21/677 (2006.01)
H01L 31/0236 (2006.01)
H01L 31/18 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 21/6708
H01L 21/67086
H01L 21/6776
H10F 77/703
H10F 99/00
Y02E 10/50
MCD-Hauptklasse MCM H01L 21/306 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS C23F 1/00 (2006.01)
H01L 21/677 (2006.01)
H01L 31/0236 (2006.01)
H01L 31/18 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Verfahren zur Strukturierung von Ober- und Unterseite eines Halbleitersubstrats, wobei die Oberseite poliert und die Unterseite texturiert wird, umfassend die folgenden Schritte, a) Bereitstellen eines Halbleitersubstrats und b) Inkontaktbringen von Ober- und Unterseite des Halbleitersubstrats mit flüssigen Ätzmedien, wobei sich die Strukturierwirkung der Ätzmedien an Ober- und Unterseite des Substrats unterscheidet, nämlich so, dass das Ätzmedium an der Oberseite eine polierende Strukturierwirkung aufweist und das Ätzmedium an der Unterseite des Substrates eine texturierende Strukturierwirkung aufweist, wobei Ober- und Unterseite des Substrats gleichzeitig strukturiert werden, wobei das Ätzmedium mit polierender Strukturierwirkung von oben auf die Oberseite des Substrates aufgebracht wird, wo eine Reaktion zwischen dem Ätzmedium und der Oberseite des Substrats stattfindet, so dass sich die Konzentration an Ätzkomponenten in dem Ätzmedium verringert und das Ätzmedium zur Texturierung der Unterseite verwendet werden kann.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000010313127A1
DE000010320212A1
DE102007063202A1
WO002007073887A1
WO002011076920A1
WO002012020274A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP C23F 1/00
H01L 21/306
H01L 21/677
H01L 31/0236
H01L 31/18