Bibliografische Daten

Dokument DE102014107850A1 (Seiten: 10)

Bibliografische Daten Dokument DE102014107850A1 (Seiten: 10)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Elektronisches Bauelement mit einem Dielektrikum und Verfahren zur Herstellung des elektronischen Bauelementes
71/73 Anmelder/Inhaber PA Technische Universität Chemnitz, 09111, Chemnitz, DE
72 Erfinder IN Haase, Katherina, M.Sc, 09126, Chemnitz, DE ; Höft, Daniel, 09247, Röhrsdorf, DE ; Schmidt, Georg, Dr., 09113, Chemnitz, DE
22/96 Anmeldedatum AD 04.06.2014
21 Anmeldenummer AN 102014107850
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 17.12.2015
33
31
32		 Priorität PRC
PRN
PRD

51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 51/10 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 29/51 (2006.01)
H01L 51/40 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H10K 10/476
H10K 10/478
MCD-Hauptklasse MCM H01L 51/10 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 29/51 (2006.01)
H01L 51/40 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement mit einem Dielektrikum (D) und ein Verfahren zur Herstellung des elektronischen Bauelements, insbesondere eines organischen Feldeffekttransistors oder Dünnschichtkondensators, wobei das Dielektrikum (D) wenigstens eine erste Schicht (1) in Form einer low-k-Schicht und wenigstens eine zweite Schicht (2) in Form einer high-k-Schicht aufweist, und erfindungsgemäß zwischen der ersten Schicht (1) und der zweiten Schicht (2) eine dritte Schicht (3) mit beliebiger Dielektrizitätskonstante angeordnet ist. Verfahrensgemäß werden die erste Schicht (1), eine dritte Schicht (3) mit beliebiger Dielektrizitätskonstante und die zweite Schicht (2) übereinander aufgebracht und dadurch das Dielektrikum (D) als Verbund dreier miteinander in Kontakt gebrachter Einzelschichten hergestellt.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt		 CT DE102011007762A1
JP002005072569A
WO002003052841A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt		 CT WO002012048048A1
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt		 CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt		 CTNP "K. N. N. Unni, R. de Bettignies, S. Dabos-Seignon and J.-M. Nunzi: A nonvolatile memory element based on an organic field-effect transistor, Appl. Phys. Lett., Val. 85, No. 10, 2004" 1;
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Hwang et al. 1
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 29/51
H01L 51/10
H01L 51/40