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Titel |
TI |
[DE] Feldeffekttransistor-Anordnung |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Technische Universität Darmstadt, 64289, Darmstadt, DE
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Erfinder |
IN |
Krauss, Tillmann, 63150, Heusenstamm, DE
;
Schwalke, Udo, 64839, Münster, DE
;
Wessely, Frank, 64807, Dieburg, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
26.06.2013 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102013106729 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
31.12.2014 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/78
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 29/0649
H01L 29/404
H01L 29/7838
H01L 29/7839
H01L 29/78645
H01L 29/78648
H01L 29/78654
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 29/78
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Eine Feldeffekttransistor-Anordnung mit einer planaren Kanalschicht (1) aus einem Halbleitermaterial, die mit einer Unterseite flächig auf einer Oberseite einer elektrisch isolierenden Untergrundschicht (2) aufgebracht ist und auf einer Oberseite von einer elektrisch isolierenden Elektrodenisolierungsschicht (3) bedeckt ist, weist eine Source-Elektrode (6) an einer ersten Seitenkante der Kanalschicht (1) und eine Drain-Elektrode (7) an einer zweiten Seitenkante der Kanalschicht (1) sowie eine über der Kanalschicht (1) zwischen der Source-Elektrode (6) und der Drain-Elektrode (7) angeordnete Steuerelektrode (9) auf. An einer Unterseite der Untergrundschicht (2) ist eine Einstellelektrode (5) angeordnet. Ein Kontaktbereich (8) zwischen der Source-Elektrode (6) und der planaren Kanalschicht (1) sowie ein Kontaktbereich (8) zwischen der Drain-Elektrode (7) und der planaren Kanalschicht (1) ist jeweils als eine Midgap-Schottky-Barriere ausgestaltet. In der Nähe des Kontaktbereichs (8) der Source-Elektrode (6) und in der Nähe des Kontaktbereichs (8) der Drain-Elektrode (6) ist jeweils eine Barrieresteuerelektrode (10) angeordnet. Die Barrieresteuerelektroden (10) können jeweils eine in Richtung der planaren Kanalschicht (1) vorspringende Ausformung (11) aufweisen. Die Steuerelektrode (9) kann zwei verschiedene Metalle mit unterschiedlichen Austrittsarbeiten aufweisen. Die Einstellelektrode (5) kann eine Dotierung aufweisen. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
US020020009833A1
US020050092985A1
US020120056258A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
Akio Shima et al: ?Metal Schottky Source/Drain Technology forUltrathin Silicon-on-Thin-Box Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors? . In: Japanese Journal of Applied Physics , 2011, 50 04DC06. https://www.google.com/search?client=firefox-b-e&q=Akio+shima++Metal+schottky+source%2FDrain+ [abgerufen am 08.02.2024] n
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 29/78
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