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Document DE102013015723B3 (Pages: 17)

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INID Criterion Field Contents
54 Title TI [DE] Verbesserte Ansteuerung von Leistungshalbleitern
71/73 Applicant/owner PA Hochschule Reutlingen, 72762, Reutlingen, DE
72 Inventor IN Cenusa, Marius, 72768, Reutlingen, DE ; Cretu, Gabriel, 72762, Reutlingen, DE ; Pfost, Martin, 72762, Reutlingen, DE
22/96 Application date AD Sep 20, 2013
21 Application number AN 102013015723
Country of application AC DE
Publication date PUB Sep 4, 2014
33
31
32		 Priority data PRC
PRN
PRD

51 IPC main class ICM H03K 17/0812 (2006.01)
51 IPC secondary class ICS H03K 17/16 (2006.01)
IPC additional class ICA
IPC index class ICI
Cooperative patent classification CPC H03K 17/08128
H03K 17/163
H03K 17/166
H03K 17/168
MCD main class MCM H03K 17/0812 (2006.01)
MCD secondary class MCS H03K 17/16 (2006.01)
MCD additional class MCA
57 Abstract AB [DE] Die vorliegende Erfindung betrifft ein verbessertes Verfahren und einen verbesserten Gate-Treiber zur Ansteuerung eines Leistungsschaltteils, welches zumindest einen Isolated-Gate-Bipolartransistor mit einem Gate (18) und einer mittels des Gates schaltbaren Kollektor-Emitter-Strecke und eine zur Kollektor-Emitter-Strecke in Serie geschaltete Schutzdiode (20) umfasst, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: – ausgehend von einem nicht-leitenden Zustand der Kollektor-Emitter-Strecke Laden des Gates (18) mittels eines Gate-Stroms einer ersten Polarität zum teilweisen Freischalten der Kollektor-Emitter-Strecke; – teilweises Entladen des Gates (18) mittels eines Gate-Stroms einer zweiten, zur ersten entgegengesetzten Polarität; und – weiteres Laden des Gates mittels eines Gate-Stroms der ersten Polarität zum vollständigen Freischalten der Kollektor-Emitter-Strecke.
56 Cited documents identified in the search CT WO002013138219A1
56 Cited documents indicated by the applicant CT
56 Cited non-patent literature identified in the search CTNP
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Citing documents Determine documents
Sequence listings
Search file IPC ICP H02M 1/08 IGB
H03K 17/0812
H03K 17/16