54 |
Titel |
TI |
[DE] Verbesserte Ansteuerung von Leistungshalbleitern |
71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Hochschule Reutlingen, 72762, Reutlingen, DE
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72 |
Erfinder |
IN |
Cenusa, Marius, 72768, Reutlingen, DE
;
Cretu, Gabriel, 72762, Reutlingen, DE
;
Pfost, Martin, 72762, Reutlingen, DE
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22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
20.09.2013 |
21 |
Anmeldenummer |
AN |
102013015723 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
04.09.2014 |
33 31 32 |
Priorität |
PRC PRN PRD |
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51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H03K 17/0812
(2006.01)
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51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H03K 17/16
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H03K 17/08128
H03K 17/163
H03K 17/166
H03K 17/168
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H03K 17/0812
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H03K 17/16
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die vorliegende Erfindung betrifft ein verbessertes Verfahren und einen verbesserten Gate-Treiber zur Ansteuerung eines Leistungsschaltteils, welches zumindest einen Isolated-Gate-Bipolartransistor mit einem Gate (18) und einer mittels des Gates schaltbaren Kollektor-Emitter-Strecke und eine zur Kollektor-Emitter-Strecke in Serie geschaltete Schutzdiode (20) umfasst, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: – ausgehend von einem nicht-leitenden Zustand der Kollektor-Emitter-Strecke Laden des Gates (18) mittels eines Gate-Stroms einer ersten Polarität zum teilweisen Freischalten der Kollektor-Emitter-Strecke; – teilweises Entladen des Gates (18) mittels eines Gate-Stroms einer zweiten, zur ersten entgegengesetzten Polarität; und – weiteres Laden des Gates mittels eines Gate-Stroms der ersten Polarität zum vollständigen Freischalten der Kollektor-Emitter-Strecke. |
56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, in Recherche ermittelt |
CT |
WO002013138219A1
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56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, vom Anmelder genannt |
CT |
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, in Recherche ermittelt |
CTNP |
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H02M 1/08 IGB
H03K 17/0812
H03K 17/16
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