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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zum Herstellen einer mikrofluidischen Vorrichtung und nach dem Verfahren hergestellte Vorrichtung
[EN] Method for manufacturing micro-fluidic device for use in lab-on-a-chip (LOC) system, involves melting and welding the materials of lower and upper layers with each other, after cooling below certain temperature |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
Robert Bosch GmbH, 70469, Stuttgart, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Brettschneider, Thomas, 70806, Kornwestheim, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
11.06.2012 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102012209676 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
12.12.2013 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
B81C 3/00
(2012.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
B81B 1/00
(2012.01)
B81C 1/00
(2012.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
B01L 2300/0816
B01L 2300/0883
B01L 2300/1827
B01L 3/502707
B01L 7/52
B81B 2201/051
B81C 2201/019
B81C 2203/0181
B81C 3/001
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
B81C 3/00
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
B81B 1/00
(2006.01)
B81C 1/00
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer wenigstens aus einer ersten Schicht und einer zweiten Schicht bestehenden mikrofluidischen Vorrichtung sowie eine nach dem Verfahren hergestellte mikrofluidische Vorrichtung bereitgestellt, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Aufbringen von wenigstens einer elektrisch leitenden Leiterbahn auf eine Oberfläche der ersten Schicht; Ausbilden von wenigstens einer Ausnehmung in und/oder auf der zweiten Schicht; Kontaktieren der Leiterbahn an wenigstens zwei Punkten der Leiterbahn mit einer außerhalb der ersten bzw. zweiten Schicht angeordneten Stromquelle, so dass bei Betrieb der Stromquelle ein Stromfluss in der Leiterbahn zustande kommt; Aufeinanderpressen der ersten und der zweiten Schicht, so dass die Leiterbahn zwischen der ersten und der zweiten Schicht angeordnet ist; und Betreiben der Stromquelle derart, dass während des Aufeinanderpressens der ersten und zweiten Schicht Material beider Schichten entlang der stromdurchflossenen Leiterbahn bei einer materialabhängigen Temperatur zum Schmelzen gebracht wird, und zwar aufgrund der Wärmeentwicklung der stromdurchflossenen Leiterbahn, und sich das Material beider Schichten nach Abkühlen unter eine bestimmte Temperatur nach Art eines Schweißvorgangs miteinander verbindet.
[EN] The method involves applying electrically conductive trace (25) on the surface (30) of a lower layer (35). A recess (50) is formed in and/or on an upper layer (40). The two contact points of the trace are made contact with a current source, to carry out the current flow to the trace. The layers are pressed together, such that the trace is arranged between the layers. The materials of the layers along the trace are melted at a material-dependent temperature, and the materials of the layers are welded with each other, after cooling below a certain temperature. An independent claim is included for a micro-fluidic device. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
US020070125489A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
B81B 1/00 MF
B81C 1/00
B81C 3/00
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