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Title |
TI |
[DE] Verfahren und Einrichtung zur Ermittlung der Temperaturkalibrierkennlinie eines Halbleiterbauelements der Leistungselektronik |
71/73 |
Applicant/owner |
PA |
Technische Universität Chemnitz, 09111, Chemnitz, DE
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72 |
Inventor |
IN |
Bohlländer, Marco, 09120, Chemnitz, DE
;
Herold, Christian, 09126, Chemnitz, DE
;
Hiller, Sebastian, 92280, Kastl, DE
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22/96 |
Application date |
AD |
Mar 17, 2012 |
21 |
Application number |
AN |
102012005815 |
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Country of application |
AC |
DE |
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Publication date |
PUB |
Sep 19, 2013 |
33 31 32 |
Priority data |
PRC PRN PRD |
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51 |
IPC main class |
ICM |
G01R 31/26
(2012.01)
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51 |
IPC secondary class |
ICS |
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IPC additional class |
ICA |
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IPC index class |
ICI |
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Cooperative patent classification |
CPC |
G01R 31/2603
G01R 31/2619
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MCD main class |
MCM |
G01R 31/26
(2006.01)
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MCD secondary class |
MCS |
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MCD additional class |
MCA |
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57 |
Abstract |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft Verfahren und Einrichtungen zur Ermittlung der Temperaturkalibrierkennlinie eines Halbleiterbauelements der Leistungselektronik. Diese zeichnen sich insbesondere dadurch aus, dass die Temperaturkalibrierkennlinie einfach und ökonomisch günstig zu ermitteln ist. Dazu werden/sind die Leistungsanschlüsse des Halbleiterbauelements – mit einer ersten Stromquelle für einen Laststrom, – mit einer zweiten Stromquelle für einen Messstrom, und – mit einem Voltmeter zur Messung der über entweder die Leistungsanschlüsse oder mit den Leistungsanschlüssen verbundenen Hilfsanschlüssen abfallenden Spannung zusammengeschaltet. Weiterhin wird das mit einem Datenverarbeitungssystem verbundene Halbleiterbauelement – in Intervallen bei zugeschalteter erster Stromquelle über dessen Verlustleistung erwärmt und – die bei abgeschalteter erster Stromquelle und zugeschalteter zweiter Stromquelle über die Leistungs- oder Hilfsanschlüsse abfallende Spannung zwischen den Intervallen nach einer durch die thermische Hauptzeitkonstante des Halbleiterbauelements bestimmten Zeitdauer als die Temperatur repräsentierende Werte einschließlich der dazugehörigen Temperaturen gemessen. Die Werte bilden nach einer Näherung die Kalibrierkennlinie des Halbleiterbauelements. |
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Cited documents identified in the search |
CT |
DE000003037192A1 DE000003832273A1
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Cited documents indicated by the applicant |
CT |
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56 |
Cited non-patent literature identified in the search |
CTNP |
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56 |
Cited non-patent literature indicated by the applicant |
CTNP |
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Citing documents |
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No results
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Sequence listings |
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Search file IPC |
ICP |
G01N 27/18
G01R 31/26
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