| 54 |
Titel |
TI |
[DE] Halbleiterbauelement mit optimiertem Randabschluss |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG, 59581, Warstein, DE
|
| 72 |
Erfinder |
IN |
Barthelmeß, Reiner, Dr., 59494, Soest, DE
;
Basler, Thomas, Dipl.-Ing., 09126, Chemnitz, DE
;
Kellner-Werdehausen, Uwe, Dipl.-Ing., 91359, Leutenbach, DE
;
Lutz, Josef, Prof. Dr., 09126, Chemnitz, DE
;
Schulze, Hans-Joachim, Dr., 82024, Taufkirchen, DE
|
| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
30.11.2011 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102011087487 |
|
Anmeldeland |
AC |
DE |
|
Veröffentlichungsdatum |
PUB |
06.06.2013 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
|
| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/06
(2012.01)
|
| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 29/861
(2012.01)
|
|
IPC-Zusatzklasse |
ICA |
|
|
IPC-Indexklasse |
ICI |
|
|
Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 29/0623
H01L 29/0657
H01L 29/0661
H01L 29/36
H01L 29/861
|
|
MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 29/06
(2006.01)
|
|
MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 29/861
(2006.01)
|
|
MCD-Zusatzklasse |
MCA |
|
| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, aufweisend: – einen Halbleiterköper (21) mit einer ersten Seite (22), einer zweiten Seite (23) und einem Rand (24), – eine Innenzone (27) mit einer Grunddotierung eines ersten Leitungstyps, – eine erste, zwischen der ersten Seite (22) und der Innenzone (27) angeordnete Halbleiterzone (28, 61) des ersten Leitungstyps mit einer Dotierungskonzentration, die höher ist als die der Innenzone (27), – eine zweite, zwischen der zweiten Seite (23) und der Innenzone (27) angeordnete Halbleiterzone (29) eines zweiten, zum ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps mit einer Dotierungskonzentration, die höher ist als die der Innenzone (27), – wenigstens eine erste Randabschrägung, die sich in einem ersten Winkel (30) zur Erstreckungsebene des Übergangs von der zweiten Halbleiterzone (29) zur Innenzone (27) wenigstens entlang des Rands (24) der zweiten Halbleiterzone (29) und der Innenzone (27) erstreckt, wobei wenigstens eine vergrabene Halbleiterzone (41, 51, 81) des zweiten Leitungstyps mit einer Dotierungskonzentration, die höher ist als die der Innenzone (27), zwischen der ersten Halbleiterzone (28, 61) und der Innenzone (27) vorgesehen ist und sich im Wesentlichen parallel zur ersten Halbleiterzone (28, 61) erstreckt. |
| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE102009019278A1
EP000000400178A1
US000006037632A
|
| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
|
| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
|
| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
|
|
Zitierende Dokumente |
|
Dokumente ermitteln
|
|
Sequenzprotokoll |
|
|
|
Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 29/06
H01L 29/861
|
