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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zum Herstellen und Verwendung von Graphen auf polykristallinem Siliziumcarbid |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Leibniz-Institut für Neue Materialien gemeinnützige GmbH, 66123, Saarbrücken, DE
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Erfinder |
IN |
Aslan, Mesut, Dr.-Ing., 66989, Höheischweiler, DE
;
Bennewitz, Roland, Prof. Dr., 66123, Saarbrücken, DE
;
Wählisch, Christian Felix, Dipl.-Ing., 66386, St. Ingbert, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
22.12.2011 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102011056896 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
27.06.2013 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
C04B 41/80
(2012.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
C04B 35/565
(2012.01)
F16C 33/00
(2012.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
B82Y 30/00
B82Y 40/00
C01B 32/184
C04B 2111/00353
C04B 2235/3821
C04B 2235/424
C04B 2235/5409
C04B 2235/668
C04B 2235/77
C04B 2235/786
C04B 35/565
C04B 41/009
C04B 41/5001
C04B 41/85
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
C04B 41/80
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
C04B 35/565
(2006.01)
F16C 33/00
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen sowie die Verwendung von Graphen auf polykristallinem Siliziumcarbid. Um ein Verfahren zum Herstellen von Oberflächen mit sehr geringer Reibung zu schaffen, werden im Rahmen der Erfindung folgende Verfahrensschritte vorgeschlagen: • Polieren der Oberflächen von Siliziumcarbidkörpern mit einer homogenen Verteilung von Kohlenstoff, • Reinigen der Siliziumcarbidkörper und • Graphenisieren mindestens einer der polierten Oberflächen durch eine Glühbehandlung bei Temperaturen von 1500 bis 1700°C während 10 bis 20 min in fließendem Argon. Es hat sich im Rahmen der Erfindung überraschend gezeigt, daß auf polierten Schichten aus festphasengesintertem Siliziumcarbid Oberflächen realisiert werden können, die sich durch eine sehr niedrige Reibung auszeichnen, was auf der Anwesenheit von Graphenschichten auf den Oberflächen aus Siliziumcarbidkörnern unterschiedlicher Orientierung beruht. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000019537714A1
DE000060011683T2
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
EP000000591698A2
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
"Low friction and rotational dynamics of crystalline flakes in solid lubrication", A. S. de Wijn, A. Fasolino, A. E. Filippov and M. Urbakh, EPL 95 (2011) 66002 1
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Zitierende Dokumente |
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DE102014205297A1
DE102017211660A1
DE102017211660B4
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
C04B 35/565
C04B 41/80
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