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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zur Passivierung von Halbleiterschichten
[EN] Manufacture of semiconductor layer e.g. passivation film for solar cell, involves separating silicon layer, silicon oxide layer, silicon carbide layer or silicon germanium layer from substrate, and performing microwave treatment |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
Universität Stuttgart, 70174, Stuttgart, DE
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Erfinder |
IN |
Cichoszewski, Jakub, 70569, Stuttgart, DE
;
Stoicescu, Liviu-Mihai, 71679, Asperg, DE
;
Werner, Jürgen, 70197, Stuttgart, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
28.09.2010 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102010047841 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
29.03.2012 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 31/18
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/56
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H10F 10/17
H10F 19/31
H10F 71/128
H10F 71/129
H10F 77/311
Y02E 10/548
Y02P 70/50
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 31/18
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/56
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Es wird ein Verfahren zur Erzeugung von Halbleiterschichten, insbesondere zur Passivierung von Halbleiterschichten angegeben, insbesondere bei Solarzellen, bei wobei eine Schicht auf einem Substrat abgeschieden wird und anschließend einer Mikrowellenbehandlung unterzogen wird (5).
[EN] Layer chosen from silicon layer, silicon oxide layer, silicon nitride layer, silicon carbide layer and silicon germanium layer is separated from a substrate, and subsequently microwave treatment is performed to obtain semiconductor layer. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
METAXAS, A.C.; MEREDITH, R.J: Industrial Microwave Heating. Exter, United Kingdom : Peter Peregrinus Ltd, 1983. 2. - ISBN 0-906048-89-3 p 0;
SCHULZE, T.F. [u.a.]: Accelerated Interface Defect Removal in Amorphus/Crystalline Silicon Heterostructures Using Pulsed Annealing and Microwave Heating. In: Appl.Phys.Lett, 2009, 182108. p 0
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
R.A. Sinton und A. Cuevas, Contactless Determination of Current-Voltage Characteristics and Minority Carrier Lifetimes in Semi-Conductors from Quasi-Steady-State Photoconductance Data, Appl. Phys. Letters 69 1
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/56
H01L 31/18
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