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Titel |
TI |
[DE] Anordnung zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Forschungsverbund Berlin e.V., 12489, Berlin, DE
;
Humboldt-Universität zu Berlin, 10099, Berlin, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Henneberger, Prof. Dr., Fritz, 16515, Oranienburg, DE
;
Koch, Dr., Norbert, 14197, Berlin, DE
;
Riechert, Prof. Dr., Henning, 85521, Ottobrunn, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
30.04.2010 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102010019660 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
03.11.2011 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 51/52
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 51/56
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
B82Y 20/00
H10K 50/17
H10K 50/80
H10K 71/00
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 51/52
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 51/56
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung bezieht sich u. a. auf eine Anordnung (10) zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung, wobei die Anordnung anorganisches Halbleitermaterial und organisches Material (130) aufweist, gekennzeichnet durch einen Halbleiterzylinder (30, 40) aus anorganischem Halbleitermaterial und eine in dem Halbleiterzylinder befindliche Ladungsträgerinjektionszone (50), wobei die Ladungsträgerinjektionszone an die Mantelfläche (110) des Halbleiterzylinders angrenzt, das organische Material (130) geeignet ist, im Falle einer Ladungsträgerrekombination elektromagnetische Strahlung zu emittieren, und das organische Material auf demjenigen Abschnitt der Mantelfläche des Halbleiterzylinders, an den die Ladungsträgerinjektionszone angrenzt, mittelbar oder unmittelbar aufliegt und Elektron-Lochpaare aus der Ladungsträgerinjektionszone des Halbleiterzylinders in das organische Material eintreten und dort die Emission elektromagnetischer Strahlung durch Rekombination anregen können. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE102008010031A1
EP000001798783A2
US020070237479A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
"Axial and radial growth of Ni-induced GaN nanowires", L. Geelhaar, C. Chèze, W. M. Weber, R. Averbeck, H. Riechert, Th. Kehagias, Ph. Komninou, G. P. Dimitrakopulos, Th. Karakostas,, Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 093113 1;
"Ferromagnet-semiconductor nanowire coaxial heterostructures grown by molecular-beam epitaxy", M. Hilse, Y. Takagaki, J. Herfort, M. Ramsteiner, C. Herrmann, S. Breuer, L. Geelhaar, H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 133126 1;
Jong H. Na, M. Kitamura, M. Arita, Y. Arakawa; Applied Physics Letters, 94, 213302, 2009 1
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 51/52
H01L 51/56
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