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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zur Messung der Junction-Temperatur bei Leistungshalbleitern in einem Stromrichter
[EN] Junction temperature determining method for e.g. insulated-gate bipolar transistor in three-phase power converter arrangement, involves supplying current to be fed so that total current flowing in transistor corresponds to test current |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
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Erfinder |
IN |
Lutz, Josef, Dr., 09126, Chemnitz, DE
;
Paul, Stephan, 09117, Chemnitz, DE
;
Zill, Jörg, 09127, Chemnitz, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
13.01.2010 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102010000875 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
14.07.2011 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
G01K 7/01
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H02M 1/32
(2007.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
G01K 2217/00
G01K 7/01
H02M 1/32
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
G01K 7/01
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H02M 1/32
(2007.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Es wird ein Verfahren zur Bestimmung der Sperrschichttemperatur eines Leistungstransistors in einem Stromrichter offenbart. Das Verfahren umfasst folgende Schritte: Stoppen des Stromrichterbetriebs für mindestens eine Messzeitdauer; Leitendes Ansteuern des Leistungstransistors; Einspeisen eines Stroms in einen Laststrompfad des Leistungstransistors; Messen des Spannungsabfalls über dem Laststrompfad des Leistungstransistors; Berechnen der Sperrschichttemperatur aus dem Spannungsabfall; wobei das Einspeisen des Stroms folgendes umfasst: Messen eines durch den Leistungstransistor fließenden Ruhestroms in einer mit dem Leistungstransistor verbundenen Versorgungsleitung; Einstellen der Höhe des einzuspeisenden Stroms derart, dass diese der Differenz zwischen einem vordefinierten, konstanten Teststrom und dem gemessenen Ruhestrom entspricht; und Einspeisen des Stromes, sodass der in dem Leistungstransistor fließende Summenstrom dem vordefinierten, konstanten Teststrom entspricht.
[EN] The method involves stopping an operation of a power converter (100) for a measuring time duration. Current is fed into a load current path of a power transistor (T1top). Voltage drops over the path is measured. A junction temperature is computed from the voltage drops. A level of the current to be fed is adjusted such that the level corresponds to a difference between predefined constant test current and measured quiescent current. The current to be fed is supplied so that total current flowing in the power transistor corresponds to the predefined constant test current. An independent claim is also included for a power converter arrangement comprising a half bridge. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000004324982A1
DE000010351843A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
G01K 7/01
H02M 1/32
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