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Titel |
TI |
[DE] Bipolares Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Baburske, Roman, 09112, Chemnitz, DE
;
Lutz, Josef, 09126, Chemnitz, DE
;
Schulze, Hans-Joachim, 82024, Taufkirchen, DE
;
Siemieniec, Ralf, Villach, AT
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
30.09.2009 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102009047808 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
25.01.2018 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/861
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/329
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 29/0623
H01L 29/66136
H01L 29/73
H01L 29/861
H01L 29/8611
H01L 2924/0002
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 29/861
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/329
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Bipolares Halbleiterbauelement (100), aufweisend: – einen Halbleiterkörper (20) mit einer ersten horizontalen Oberfläche (15), einer zur ersten Oberfläche (15) parallel verlaufenden zweiten Oberfläche (16) und mindestens einem Last-pn-Übergang (11), wobei eine Sperrichtung des Last-pn-Übergangs mit einer Sperrichtung des bipolaren Halbleiterbauelements (100) übereinstimmt; – eine auf der ersten Oberfläche (15) angeordnete erste Metallisierung (8), welche eine Anodenmetallisierung (8) bildet; – eine auf der zweiten Oberfläche (16) angeordnete zweite Metallisierung (9), welche eine Kathodenmetallisierung (9) bildet; und – eine Anodenstruktur mit mindestens einem ohmschen Strompfad von der ersten Metallisierung (8) zur zweiten Metallisierung (9), der im Halbleiterkörper (20) nur durch n-dotierte Gebiete verläuft, wobei das bipolare Halbleiterbauelement einen dynamischen Anodenemitterwirkungsgrad aufweist. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000010361136B4
DE102004053761A1
DE102008023471A1
EP000001515372A1
JP002007281231A
US000004641174A
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/329
H01L 29/06
H01L 29/861
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