DEPATISnet | Bibliographic data

Document 1/1

Bibliographic data Document DE102008056574A1 (Pages: 37)
INID	Criterion	Field	Contents
54	Title	TI	[DE] Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
71/73	Applicant/owner	PA	Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
72	Inventor	IN	Kaindl, Winfried, Dr. rer. nat., 82008 Unterhaching, DE ; R�b, Michael, Dr. rer. nat., Faak am See, AT ; Tolksdorf, Carolin, Dr.-Ing., 85643 Steinh�ring, DE ; Willmeroth, Armin, Dipl.-Phys., 86163 Augsburg, DE
22/96	Application date	AD	Nov 10, 2008
21	Application number	AN	102008056574
	Country of application	AC	DE
	Publication date	PUB	Jun 25, 2009
33 31 32	Priority data	PRC PRN PRD	US 96305707 20071221
51	IPC main class	ICM	H01L 29/78 (2006.01)
51	IPC secondary class	ICS	H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/78 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01) H01L 29/739 (2006.01)
	IPC additional class	ICA
	IPC index class	ICI
	Cooperative patent classification	CPC	H01L 29/0634 H01L 29/0653 H01L 29/0696 H01L 29/0839 H01L 29/1095 H01L 29/41766 H01L 29/42368 H01L 29/7396 H01L 29/7802
	MCD main class	MCM	H01L 29/78 (2006.01)
	MCD secondary class	MCS	H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/78 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01) H01L 29/739 (2006.01)
	MCD additional class	MCA
57	Abstract	AB	[DE] Ein Halbleiterbauelement weist einen Halbleiterk�rper auf, der auf einander gegen�berliegenden Oberfl�chen eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweist. Eine Steuerelektrode auf einer Isolationsschicht steuert Kanalbereiche von Bodyzonen in dem Halbleiterk�rper f�r einen Stromfluss zwischen den beiden Elektroden. Eine Driftstrecke, die sich an die Kanalbereiche anschlie�t, weist Driftzonen sowie Ladungskompensationszonen auf. Ein Teil der Ladungskompensationszonen sind leitend angeschlossene Ladungskompensationszonen, die mit der ersten Elektrode elektrisch in Verbindung stehen. Ein anderer Teil sind nahezu floatende Ladungskompensationszonen, so dass eine vergr��erte Steuerelektrodenfl�che eine monolithisch integrierte Zusatzkapazit�t CZGD in einem Zellenbereich des Halbleiterbauelements aufweist.
56	Cited documents identified in the search	CT	US000006633064B2 US000006803609B1 US020040056284A1
56	Cited documents indicated by the applicant	CT
56	Cited non-patent literature identified in the search	CTNP
56	Cited non-patent literature indicated by the applicant	CTNP
	Citing documents		Determine documents
	Sequence listings
	Search file IPC	ICP	H01L 21/331 H01L 21/336 H01L 29/06 H01L 29/417 H01L 29/739 H01L 29/78