54 |
Titel |
TI |
[DE] Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Bildung |
71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
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72 |
Erfinder |
IN |
Elpelt, Rudolf, Dr., 91054 Erlangen, DE
;
Rupp, Roland, Dr., 91207 Lauf, DE
;
Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
;
Treu, Michael, Dr., Villach, AT
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22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
30.07.2008 |
21 |
Anmeldenummer |
AN |
102008035537 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
23.04.2009 |
33 31 32 |
Priorität |
PRC PRN PRD |
US
83054207
20070730
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51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 21/336
(2006.01)
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51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 29/78
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 21/0465
H01L 29/1029
H01L 29/66068
H01L 29/66909
H01L 29/8083
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 21/336
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 29/78
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung bereitgestellt. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Halbleiterkörpers eines ersten Leitfähigkeitstyps, wobei der Halbleiterkörper eine erste Oberfläche (11) aufweist. In dem Halbleiterkörper wird wenigstens ein vergrabenes Gebiet (14) eines zweiten Leitfähigkeitstyps ausgebildet und an der ersten Oberfläche (11) des Halbleiterkörpers wird wenigstens ein Oberflächengebiet (16) des zweiten Leitfähigkeitstyps ausgebildet, wobei das vergrabene Gebiet (14) und das Oberflächengebiet (16) in der Weise ausgebildet werden, dass sie voneinander beabstandet sind. Das vergrabene Gebiet (14) wird durch tiefe Implantation eines ersten Dotierungsmittels (12) des zweiten Leitfähigkeitstyps ausgebildet. |
56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, in Recherche ermittelt |
CT |
US000007221010B2
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56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, vom Anmelder genannt |
CT |
US000006459108B1 WO001997023911A1 WO001998049762A1 WO002000005768A1 WO002000016402A1 WO002002009195A1
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, in Recherche ermittelt |
CTNP |
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/265
H01L 21/336
H01L 29/06
H01L 29/78
H01L 29/808
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