Bibliografische Daten

Dokument DE102007039754A1 (Seiten: 9)

Bibliografische Daten Dokument DE102007039754A1 (Seiten: 9)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verfahren zur Herstellung von Substraten
71/73 Anmelder/Inhaber PA Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686 München, DE
72 Erfinder IN Drabe, Christian, 01099 Dresden, DE
22/96 Anmeldedatum AD 17.08.2007
21 Anmeldenummer AN 102007039754
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 24.12.2008
33
31
32		 Priorität PRC
PRN
PRD		 DE
102007030241
20070622
51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 21/60 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 21/283 (2006.01)
H01L 21/768 (2006.01)
H01L 23/48 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 21/76898
H10F 71/00
MCD-Hauptklasse MCM H01L 21/60 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/283 (2006.01)
H01L 21/768 (2006.01)
H01L 23/48 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Substraten, beispielsweise als Halbleitersubstrate. Dabei ist es Aufgabe der Erfindung Möglichkeiten zur Verfügung zu stellen, mit denen Substrate kostengünstig herstellbar sind, und mit denen eine Beeinträchtigung des Substratwerkstoffs vermeidbar ist. Beim erfindungsgemäßen Verfahren soll eine Verbindung von einer Vorderseite des Substrates durch das Substrat hindurch bis zu seiner Rückseite geführt werden. In das Substrat wird mindestens eine Vertiefung von der Vorderseite des Substrates mit einer vorgebbaren Mindesttiefe durch ein Ätzverfahren ausgebildet. Dann wird die Vertiefung(en) mit einem Stoff ausgefüllt und/oder die Innenwand der Vertiefung(en) wird/werden vollflächig mit einer elektrisch isolierenden Beschichtung versehen und dann mit einem Stoff ausgefüllt. Anschließend wird ausgehend von der Rückseite des Substrates dessen Dicke mechanisch durch abrasiven Stoffabtrag soweit reduziert wird, bis ein vorgebbarer Abstand des durch den abrasiven Stoffabtrag gestörten Bereichs des Substrats von der Vertiefung erreicht ist und im Anschluss daran durch nasschemisches Ätzen in zwei bis vier Stufen mit zwei voneinander verschiedenen Ätzflüssigkeiten zuerst Substratwerkstoff und dann Stoff und/oder elektrisch isolierender Beschichtungswerkstoff entfernt werden bis mindestens die in Richtung Rückseite des Substrats weisende Stirnfläche der Vertiefung(en) freigelegt ist. In den zwei Stufen werden ...
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt		 CT DE000019816245A1
EP000001391924A1
US020050121768A1
US020050153479A1
US020060043599A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt		 CT DE102005039068A1
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt		 CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt		 CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/283 3D
H01L 21/60
H01L 21/768