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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zum Erzeugen von kratzfesten Schichten auf einem Substrat
[EN] Production of scratch-resistant coatings on substrates comprises applying alternating layers of silica and metal oxide using plasma-enhanced chemical vapor deposition |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Leibniz-Institut für Neue Materialien gemeinnützige GmbH, 66123 Saarbrücken, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Donia, Nicole, 66578 Schiffweiler, DE
;
Mathur, Sanjay, 66125 Saarbrücken, DE
;
Rajesh, Ganesan, 66123 Saarbrücken, DE
;
Rügamer, Thomas, 66123 Saarbrücken, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
03.04.2007 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102007016360 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
09.10.2008 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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IPC-Hauptklasse |
ICM |
C23C 16/40
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
B82Y 30/00
C03C 17/3417
C03C 2217/734
C03C 2218/153
C23C 16/40
C23C 16/401
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
C23C 16/40
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen in neues Verfahren zum Erzeugen von kratzfesten Schichten auf einem Substrat zu schaffen, wird im Rahmen der Erfindung vorgeschlagen, daß mittels PECVD Kompositstrukturen aus siliziumoxidischen Schichten und anderen metalloxidischen Schichten auf das Substrat aufgetragen werden. Gegenstand der Erfindung ist somit das Aufbringen von nanostrukturierten metalloxidischen, oxycarbidischen, oxynitridischen und carbonitridischen Schichtsystemen mittels plasmagestützter CVD-Verfahren (PECVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) zur Funktionalisierung der Substratoberfläche, um funktionell Eigenschaften wie Abrasionsschutz, Kratzfestigkeit und zusätzliche Funktionalitäten etwa Antireflexeigenschaften, hydrophobe oder hydrophile Eigenschaften zu erzielen.
[EN] Production of scratch-resistant coatings on substrates comprises applying alternating layers of silica and metal oxide using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
CA000002364441A1
DE000003917535A1
DE000010258678B4
DE000019523444A1
DE000019634795A1
EP000000590467B1
EP000000709484A1
US000006599584B2
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
Rupertus et al., Fresenius J. Anal. Chem. (1997) 358, 85-88 1
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
C23C 16/40
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