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Bibliografische Daten

Dokument DE102007009227B4 (Seiten: 20)

Bibliografische Daten Dokument DE102007009227B4 (Seiten: 20)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Halbleiterbauelement mit gleichrichtenden Übergängen sowie Herstellungsverfahren zur Herstellung desselben
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
72 Erfinder IN Rupp, Roland, Dr., 91207 Lauf, DE ; Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT ; Treu, Michael, Dr., Villach, AT
22/96 Anmeldedatum AD 26.02.2007
21 Anmeldenummer AN 102007009227
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 02.01.2009
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 29/872 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 21/329 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 29/0619
H01L 29/08
H01L 29/6606
H01L 29/6609
H01L 29/66143
H01L 29/861
H01L 29/872
MCD-Hauptklasse MCM H01L 29/872 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/329 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000019954866A1
US000005262668A
US000006362495B1
US000006905916B2
US020040046224A1
WO002006061277A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP Hancock, J.M.: Novel SiC Diode Solves PFC Challenges. In: Power Electronics Technology, Juni 2006, S. 28-35; p 0
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 27/06
H01L 29/872