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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zur Herstellung eindimensionaler koaxialer Ge/SiC<SUB>x</SUB>N<SUB>y</SUB>-Heterostrukturen, derartige Struktur und Verwendung der Struktur |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Leibniz-Institut für Neue Materialien gemeinnützige GmbH, 66123 Saarbrücken, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Donia, Nicole, Dr., 66578 Schiffweiler, DE
;
Mathur, Sanjay, Prof., 66125 Saarbrücken, DE
;
Shen, Hao, Dr., 66125 Saarbrücken, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
27.12.2006 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102006062289 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
03.07.2008 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
B82B 3/00
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
B82B 1/00
(2006.01)
H01L 21/00
(2006.01)
H01L 29/15
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
B82Y 30/00
C04B 35/58
C04B 35/62884
C30B 25/00
C30B 29/08
C30B 29/60
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
B82B 3/00
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
B82B 1/00
(2006.01)
H01L 21/00
(2006.01)
H01L 29/15
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eindimensionaler (1-D) koaxialer Ge/SiCxNy-Heterostrukturen, eine derartige Struktur und die Verwendung der Struktur. Um ein Verfahren zum Herstellen eindimensionaler koaxialer Ge/SiCxNy-Heterostrukturen zu schaffen, wird im Rahmen der Erfindung vorgeschlagen, dass in der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) der Precursor Ge[N(SiMe3)]2 oder Homologe verwendet werden. Auf diese Weise wurde es erstmals möglich, einkristalline Germanium-Nanowires mit chemisch und mechanisch stabiler Schale aus SiCxNy zu schaffen. Der einstufige Prozess beruht auf molekülbasierter CVD mittels Ge[N(SiMe3)]2 als Precursor und erlaubt die direkte Herstellung von koaxialen Ge/SiCxNy-Heterostrukturen. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
US020040144970A1
WO002005095684A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
KR102005006635A
US020040213307A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
H. Gerung et al.: "Anhydrous solution synthesis of gemanium nanocrystals from the germanium (II) precursor Ge[N(SiMe3)2]2". Chem. Commun., 2005, pp. 1914-1916 (2005) 0;
H. Gerung et al.: "Anhydrous solution synthesis of gemanium nanocrystals from the germanium (II) precursor Ge[N(SiMe?3?)?2?]?2?". Chem. Commun., 2005, pp. 1914-1916 (2005) n;
H. Gerung et al.: "Control of germanium nanocrystal morphology and surface funtionalization". AlChE Annual Meeting, Conference Proceedings, Oct 30-Nov 4 2005, Abstract p 0;
H. Gerung et al.: "Solution Synthesis of Germanium Nanowires Using a Ge ?2+? Alkoxide Precursor". J. Am. Chem. Soc. 128, pp. 5244-5250 (March 2006) n;
O. Margeat et al.: "Synthesis of iron nanoparticles: Size effects, shape control and organisation". Progress in Solid State Chemistry 33, pp. 71-79, (2005) p 0;
S. Mathur et al.: "Germanium nanowires and coreshell nanostructures by chemical vapor deposition of [Ge(C5H5)2]". Chem. Mater. 16, pp. 2449-2456 (2004) 0;
S. Mathur et al.: "Germanium nanowires and coreshell nanostructures by chemical vapor deposition of [Ge(C?5?H?5?)?2?]". Chem. Mater. 16, pp. 2449-2456 (2004) n;
S. Mathur et al.: "One-Dimensional Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization and Device Applications". Proc. of SPIE 6340, pp. 634008-1 -8 p 0
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
B82B 1/00
B82B 3/00
C30B 25/00
C30B 29/08
C30B 29/60
H01L 21/00
H01L 29/15
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