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Document DE102006047489A1 (Pages: 7)

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INID Criterion Field Contents
54 Title TI [DE] Randabschluss für ein Halbleiterbauelement, Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
[EN] Edge termination for semiconductor component, has semiconductor body which has edge with peripheral area of former type of conductivity, and latter type of conductivity is provided into peripheral area of charging compensation ranges
71/73 Applicant/owner PA Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
72 Inventor IN Rüb, Michael, Dr.rer.nat., Faak, AT ; Schmitt, Markus, Dr.rer.nat., 85630 Grasbrunn, DE ; Tolksdorf, Carolin, Dr.-Ing., 82327 Tutzing, DE ; Willmeroth, Armin, Dipl.-Ing., 86163 Augsburg, DE
22/96 Application date AD Oct 5, 2006
21 Application number AN 102006047489
Country of application AC DE
Publication date PUB Apr 10, 2008
33
31
32		 Priority data PRC
PRN
PRD

51 IPC main class ICM H01L 29/06 (2006.01)
51 IPC secondary class ICS H01L 29/78 (2006.01)
IPC additional class ICA
IPC index class ICI
Cooperative patent classification CPC H01L 29/0634
H01L 29/0696
H01L 29/1095
H01L 29/402
H01L 29/7811
MCD main class MCM H01L 29/06 (2006.01)
MCD secondary class MCS H01L 29/78 (2006.01)
MCD additional class MCA
57 Abstract AB [DE] Ein Halbleiterbauelement soll eine möglichst gute Kompensation der Ladungsträger im Randbereich gewährleisten und mit hoher Ausbeute zu fertigen sein. Dazu weist der Randabschluss für ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper einen Rand mit einem Randgebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps auf, wobei in das Randgebiet Ladungskompensationsbereiche eines zweiten Leitfähigkeitstyps eingebettet sind. Die Ladungskompensationsbereiche erstrecken sich von einer Oberseite des Halbleiterbauelements vertikal in den Halbleiterkörper hinein. Für die Anzahl Ns der in einem Volumen Vs zwischen zwei in einer Richtung senkrecht zum Rand benachbarten Ladungskompensationsbereichen vorhandenen Ladungsträger und für die Anzahl Np der in einem Volumen Vp zwischen zwei in einer Richtung parallel zum Rand benachbarten Ladungskompensationsbereichen vorhandenen Ladungsträger gilt Np > Ns.
[EN] The edge termination has a semiconductor body which has an edge with a peripheral area (2) of a former type of conductivity, and a latter type of conductivity is provided into the peripheral area of charging compensation ranges. The number of the charge carrier existing in a volume between two charging compensation areas adjacent to the edge in a vertical direction is greater than the number of the charge carrier existing in a volume between two charging compensation areas adjacent to the edge in a parallel direction. An independent claim is also included for a method of manufacturing a semiconductor element.
56 Cited documents identified in the search CT DE000010100802C1
DE000010303335A1
US000006844592B2
WO001999053550A1
DE000019828191C1
56 Cited documents indicated by the applicant CT
56 Cited non-patent literature identified in the search CTNP
56 Cited non-patent literature indicated by the applicant CTNP
Citing documents Determine documents
Sequence listings
Search file IPC ICP H01L 21/425
H01L 29/06 E
H01L 29/78