| 54 |
Titel |
TI |
[DE] Halbleiterbauelement mit verbesserter Robustheit
[EN] Semiconductor component e.g. bipolar transistor, has charge carrier compensation zone between drift zone and connection zone, where doping concentration of charge carrier compensation zone is greater than concentration of connection zone |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
|
| 72 |
Erfinder |
IN |
Lutz, Josef, Prof., 09126 Chemnitz, DE
;
Schulze, Hans-Joachim, Dr., 85521 Ottobrunn, DE
|
| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
02.10.2006 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102006046845 |
|
Anmeldeland |
AC |
DE |
|
Veröffentlichungsdatum |
PUB |
03.04.2008 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
|
| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/861
(2006.01)
|
| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
|
|
IPC-Zusatzklasse |
ICA |
|
|
IPC-Indexklasse |
ICI |
|
|
Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 29/0821
H01L 29/0878
H01L 29/36
H01L 29/41766
H01L 29/73
H01L 29/732
H01L 29/7395
H01L 29/7432
H01L 29/7802
H01L 29/861
H01L 29/87
H01L 29/872
|
|
MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 29/861
(2006.01)
|
|
MCD-Nebenklasse |
MCS |
|
|
MCD-Zusatzklasse |
MCA |
|
| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, das aufweist: eine Anschlusszone (11), eine schwächer als die Anschlusszone (11) dotierte Driftzone (12) eines ersten Leitungstyps, einen Bauelementübergang zwischen der Driftzone (12) und einer weiteren Bauelementzone (14), und eine zwischen der Driftzone (12) und der Anschlusszone angeordnete Ladungsträgerkompensationszone (13) des ersten Leitungstyps, deren Dotierungskonzentration geringer ist als die der Anschlusszone (11), deren Dotierungskonzentration wenigstens abschnittsweise in Richtung der Anschlusszone (11) von einer minimalen Dotierungskonzentration zu einer maximalen Dotierungskonzentration zunimmt, wobei die minimale m-3 beträgt.
[EN] The semiconductor component has a drift zone (12) weakly doped as a connection zone (11). A component transition is provided between the drift zone and a component zone (14), and a charge carrier compensation zone (13) is provided between the drift zone and the connection zone. Doping concentration of the charge carrier compensation zone is greater than doping concentration of the connection zone. The doping concentration of the connection zone increases towards the connection zone from a minimal doping concentration to a maximum doping concentration. |
| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000003932490C2
DE000010053445C2
DE000010245091A1
DE000010360574A1
DE102004039209A1
DE102005009000A1
US000003872494A
US000006384431B1
|
| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
|
| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
|
| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
|
|
Zitierende Dokumente |
|
Dokumente ermitteln
|
|
Sequenzprotokoll |
|
|
|
Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 29/06 E
H01L 29/739
H01L 29/74
H01L 29/78
H01L 29/861
|
