Bibliografische Daten

Dokument DE102006046726A1 (Seiten: 12)

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Bibliografische Daten Dokument DE102006046726A1 (Seiten: 12)
INID	Kriterium	Feld	Inhalt
54	Titel	TI	[DE] Solarzelle mit strukturierter R�ckseitenpassivierungsschicht aus SIO<SUB>x</SUB> und SIN<SUB>x</SUB> sowie Verfahren zur Herstellung [EN] Silicon-based solar cell comprises front-end contacts that are placed on a front-end doped surface layer and a passivation layer with backside contacts that is placed on the backside doped layer
71/73	Anmelder/Inhaber	PA	Fraunhofer-Gesellschaft zur F�rderung der angewandten Forschung e.V., 80686 M�nchen, DE
72	Erfinder	IN	Hofmann, Marc, 79232 March, DE ; Kambor, Stephan, 79110 Freiburg, DE
22/96	Anmeldedatum	AD	02.10.2006
21	Anmeldenummer	AN	102006046726
	Anmeldeland	AC	DE
	Veröffentlichungsdatum	PUB	03.04.2008
33 31 32	Priorität	PRC PRN PRD
51	IPC-Hauptklasse	ICM	H01L 31/0224 (2006.01)
51	IPC-Nebenklasse	ICS
	IPC-Zusatzklasse	ICA
	IPC-Indexklasse	ICI
	Gemeinsame Patentklassifikation	CPC	H10F 10/14 H10F 10/16 H10F 77/14 H10F 77/211 H10F 77/311 H10F 77/337 H10F 77/48 Y02E 10/52
	MCD-Hauptklasse	MCM	H01L 31/0224 (2006.01)
	MCD-Nebenklasse	MCS
	MCD-Zusatzklasse	MCA
57	Zusammenfassung	AB	[DE] strukturierter R�ckseitenpassivierungsschicht sowie Verfahren zu deren Herstellung. Die R�ckseitenpassivierungsschicht ist dabei auf der innen liegenden, der R�ckseite der Solarzelle zugewandten, dotierten Schicht der Solarzelle aufgebracht und besteht aus alternierenden Schichten aus SiN_x sowie SiO_x. Die Schichtstruktur der R�ckseitenpassivierungsschicht kann �ber einen CVD-Prozess hergestellt werden. [EN] Silicon-based solar cell comprises front-end (FE) contacts that are placed on a front-end doped surface layer and at least a passivation layer with backside (BS) contacts that is placed on the backside doped layer, where the backside passivation layer is composed of at least one silicon oxide layer that is placed on the backside doped layer, at least a silicon nitride layer that is deposited on the silicon oxide layer and at least an additional superimposed silicon oxide layer. An independent claim is included for preparing the silicon-based solar cell comprising applying the backside passivation layers on the silicon wafer by chemical or physical vapor deposition process.
56	Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, in Recherche ermittelt	CT	DE000010046170A1 US000005462898A
56	Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, vom Anmelder genannt	CT
56	Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, in Recherche ermittelt	CTNP	Schultz,O., Hofmann,M., Glunz,S.W., Willeke,G.P.: SILICON OXIDE / SILICON NITRIDE STACK SYSTEM FOR 20% EFFICIENT SILICON SOLAR CELLS. In: 0-7803-8707-4/05 (C) 2005 IEEE, S. 872-876 0; Schultz,O.; Hofmann, M.; Glunz, S.; Willeke, G. P.: SILICON OXIDE / SILICON NITRIDE STACK SYSTEM FOR 20% EFFICIENT SILICON SOLAR CELLS. In: 0-7803-8707-4/05 (C) 2005 IEEE, S. 872-876 n
56	Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, vom Anmelder genannt	CTNP
	Zitierende Dokumente		CN000102405533A CN000103155161A CN000103733349A CN000103918089A CN000104347759A CN000108365023A CN000109494264A CN000114050190A DE102009010816A1 DE102009010816B4 DE102009061071B3 DE102010016992A1 DE102010016992B4 DE102010025983A1 DE102011056039A1 DE102012100184A1 DE102012100184B4 DE102012101456A1 DE102013106272A1 DE102013106272B4 DE102013107174A1 DE102013107174B4 DE112010005950T5 EP000002195853A4 EP000002212921A4 EP000002412035A4 EP000002538447A3 EP000002816610A1 FR000002989520A1 US000008759140B2 US000008828790B2 US000009136126B2 US000009276155B2 US000009293608B2 US000009461195B2 US000009825190B2 US000010199523B2 US000012243952B2 US020090283143A1 US020110197964A1 WO002010007560A3 WO002010022889A1 WO002010091466A1 WO002010144527A2 WO002011107094A3 WO002011131000A1 WO002013023169A1 WO002013036689A1 WO002013153293A1
	Sequenzprotokoll
	Prüfstoff-IPC	ICP	H01L 31/0224 H01L 31/18 EL H01L 31/18 LFC H01L 31/18 P H01L 31/18 TEX