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Titel |
TI |
[DE] Solarzelle mit strukturierter Rückseitenpassivierungsschicht aus SIO<SUB>x</SUB> und SIN<SUB>x</SUB> sowie Verfahren zur Herstellung
[EN] Silicon-based solar cell comprises front-end contacts that are placed on a front-end doped surface layer and a passivation layer with backside contacts that is placed on the backside doped layer |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686 München, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Hofmann, Marc, 79232 March, DE
;
Kambor, Stephan, 79110 Freiburg, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
02.10.2006 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102006046726 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
03.04.2008 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 31/0224
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H10F 10/14
H10F 10/16
H10F 77/14
H10F 77/211
H10F 77/311
H10F 77/337
H10F 77/48
Y02E 10/52
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 31/0224
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] strukturierter Rückseitenpassivierungsschicht sowie Verfahren zu deren Herstellung. Die Rückseitenpassivierungsschicht ist dabei auf der innen liegenden, der Rückseite der Solarzelle zugewandten, dotierten Schicht der Solarzelle aufgebracht und besteht aus alternierenden Schichten aus SiNx sowie SiOx. Die Schichtstruktur der Rückseitenpassivierungsschicht kann über einen CVD-Prozess hergestellt werden.
[EN] Silicon-based solar cell comprises front-end (FE) contacts that are placed on a front-end doped surface layer and at least a passivation layer with backside (BS) contacts that is placed on the backside doped layer, where the backside passivation layer is composed of at least one silicon oxide layer that is placed on the backside doped layer, at least a silicon nitride layer that is deposited on the silicon oxide layer and at least an additional superimposed silicon oxide layer. An independent claim is included for preparing the silicon-based solar cell comprising applying the backside passivation layers on the silicon wafer by chemical or physical vapor deposition process. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000010046170A1
US000005462898A
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
Schultz,O., Hofmann,M., Glunz,S.W., Willeke,G.P.: SILICON OXIDE / SILICON NITRIDE STACK SYSTEM FOR 20% EFFICIENT SILICON SOLAR CELLS. In: 0-7803-8707-4/05 (C) 2005 IEEE, S. 872-876 0;
Schultz,O.; Hofmann, M.; Glunz, S.; Willeke, G. P.: SILICON OXIDE / SILICON NITRIDE STACK SYSTEM FOR 20% EFFICIENT SILICON SOLAR CELLS. In: 0-7803-8707-4/05 (C) 2005 IEEE, S. 872-876 n
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 31/0224
H01L 31/18 EL
H01L 31/18 LFC
H01L 31/18 P
H01L 31/18 TEX
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